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一、薄膜制備技術(shù)

薄膜制備方法多種多樣，總的說(shuō)來(lái)可以分為兩種——物理的和化學(xué)的。物理方法指在薄膜的制備過(guò)程中，原材料只發(fā)生物理的變化，而化學(xué)方法中，則要利用到一些化學(xué)反應(yīng)才能得到薄膜。

1.化學(xué)氣相淀積法(CVD)

目前光電子器件的制備中常用的化學(xué)方法主要有等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積（PECVD）和金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積（MOCVD）。

化學(xué)氣相淀積是制備各種薄膜的常用方法，利用這一技術(shù)可以在各種基片上制備多種元素及化合物薄膜。傳統(tǒng)的化學(xué)氣相淀積一般需要在高溫下進(jìn)行，高溫常常會(huì)使基片受到損壞，而等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積（PECVD）則能解決這一問(wèn)題。等離子體的基本作用是促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)，等離子體中的電子的平均能量足以使大多數(shù)氣體電離或分解。用電子動(dòng)能代替熱能，這就大大降低了薄膜制備環(huán)境的溫度，采用PECVD技術(shù)，一般在1000℃以下。利用PECVD技術(shù)可以制備SiO2、Si3N4、非晶Si:H、多晶Si、SiC等介電和半導(dǎo)體膜，能夠滿足光電子器件的研發(fā)和制備對(duì)新型和優(yōu)質(zhì)材料的大量需求。

金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積（MOCVD）是利用有機(jī)金屬熱分解進(jìn)行氣相外延生長(zhǎng)的先進(jìn)技術(shù)，目前主要用于化合物半導(dǎo)體的薄膜氣相生長(zhǎng)，因此在以化合物半導(dǎo)體為主的光電子器件的制備中，它是一種常用的方法。利用MOCVD技術(shù)可以合成組分按任意比例組成的人工合成材料，薄膜厚度可以精確控制到原子級(jí)，從而可以很方便的得到各種薄膜結(jié)構(gòu)型材料，如量子阱、超晶格等。這種技術(shù)使得量子阱結(jié)構(gòu)在激光器和LED等器件中得到廣泛的應(yīng)用，大大提高了器件性能。2.物理氣相淀積（PVD）

化學(xué)反應(yīng)一般需要在高溫下進(jìn)行，基片所處的環(huán)境溫度一般較高，這樣也就同時(shí)限制了基片材料的選取。相對(duì)于化學(xué)氣相淀積的這些局限性，物理氣相淀積（PVD）則顯示出其獨(dú)有的優(yōu)越性，它對(duì)淀積材料和基片材料均沒(méi)有限制。制備光電子器件的薄膜常用的PVD技術(shù)有蒸發(fā)冷凝法、濺射法和分子束外延。

蒸發(fā)冷凝法是薄膜制備中最為廣泛使用的一種技術(shù)，它是在真空環(huán)境下，給待蒸發(fā)物提供足夠的熱量以獲得蒸發(fā)所必需的蒸汽壓，在適當(dāng)?shù)臏囟认?，蒸發(fā)粒子在基片上凝結(jié)，實(shí)現(xiàn)薄膜沉積。蒸發(fā)冷凝法按加熱源的不同有可分為電阻加熱法、等離子體加熱法、高頻感應(yīng)法、激光加熱法和電子束加熱法，后兩種在光電子器件的制備中比較常用。

電子束加熱法是將高速電子束打到待蒸發(fā)材料上，電子的動(dòng)能迅速轉(zhuǎn)換成熱能，是材料蒸發(fā)。它的優(yōu)點(diǎn)是可以避免待蒸發(fā)材料與坩堝發(fā)生反應(yīng)，從而得到高純的薄膜材料。近年來(lái)人們又研制出具有磁聚焦和磁彎曲的電子束蒸發(fā)裝置，使用這樣的裝置，電子束可以被聚焦到位于基片之間的一個(gè)或多個(gè)支架中的待蒸發(fā)物上。

激光蒸發(fā)法是一種在高真空下制備薄膜的技術(shù)，激光作為熱源使待蒸鍍材料蒸發(fā)。激光源放置在真空室外部，激光光束通過(guò)真空室窗口打到待蒸鍍材料上使之蒸發(fā)，最后沉積在基片上。激光蒸發(fā)法具有超清潔、蒸發(fā)速度快、容易實(shí)現(xiàn)順序多元蒸發(fā)等優(yōu)點(diǎn)。后來(lái)人們使用脈沖激光，可使原材料在很高溫度下迅速加熱和冷卻，瞬間蒸發(fā)在靶的某一小區(qū)域得以實(shí)現(xiàn)。由于脈沖激光可產(chǎn)生高功率脈沖，完全可以創(chuàng)造瞬間蒸發(fā)的條件，因此脈沖激光蒸發(fā)法對(duì)于化合物材料的組元蒸發(fā)具有很大優(yōu)勢(shì)。使用激光蒸發(fā)法可以得到光學(xué)性質(zhì)較好的薄膜材料，包括ZnO和Ge膜等。

濺射是指具有足夠高能量的粒子轟擊固體表面（靶）使其中的原子或分子發(fā)射出來(lái)。這些被濺射出來(lái)的粒子帶有一定的動(dòng)能，并具有方向性。將濺射出來(lái)的物質(zhì)沉積到基片上形成薄膜的方法成為濺射法，它也是物理氣相淀積法的一種。濺射法又分直流濺射、離子濺射、射頻濺射和磁控濺射，目前用的比較多的是后兩種。在濺射靶上加有射頻電壓的濺射稱為射頻濺射，它是適用于各種金屬和非金屬材料的一種濺射淀積方法。磁控濺射的原理是，濺射產(chǎn)生的二次電子在陰極位降區(qū)內(nèi)被加速稱為高能電子，但它們并不直接飛向陰極，而是在電場(chǎng)和磁場(chǎng)的聯(lián)合作用下進(jìn)行近似擺線的運(yùn)動(dòng)。在運(yùn)動(dòng)中高能電子不斷地與氣體分子發(fā)生碰撞，并向后者轉(zhuǎn)移能量，使之電離而本身成為低能電子。這些低能電子沿磁力線漂移到陰極附近的輔助陽(yáng)極而被吸收，從而避免了高能電子對(duì)基片的強(qiáng)烈轟擊，同時(shí)，電子要經(jīng)過(guò)大約上百米的飛行才能到達(dá)陽(yáng)極，碰撞頻率大約為107/s，因此磁控濺射的電離效率高。磁控濺射不僅可以得到很高的濺射速率，而且在濺射金屬時(shí)還可以避免二次電子轟擊而使基板保持接近冷態(tài)。

分子束外延（MBE）技術(shù)是一種可在原子尺度上精確控制外延厚度、摻雜和界面平整度的超薄層薄膜制備技術(shù)。所謂“外延”就是在一定的單晶材料襯底上，沿著襯底的某個(gè)指數(shù)晶面向外延伸生長(zhǎng)一層單晶薄膜。分子束外延是在超高真空條件下，精確控制原材料的分子束強(qiáng)度，把分子束射入被加熱的底片上而進(jìn)行外延生長(zhǎng)的。由于其蒸發(fā)源、監(jiān)控系統(tǒng)和分析系統(tǒng)的高性能和真空環(huán)境的改善，能夠得到極高質(zhì)量的薄膜單晶體，可以說(shuō)它是一種以真空蒸鍍?yōu)榛A(chǔ)的一種全新的薄膜生長(zhǎng)方法。

三、結(jié)語(yǔ)

薄膜技術(shù)是研制新材料、新結(jié)構(gòu)的重要方法之一，用薄膜技術(shù)制作的薄膜材料不僅具有優(yōu)良的光電性能、鈍化性能、強(qiáng)的阻擋雜質(zhì)粒子擴(kuò)散以及抗水汽滲透能力，在光電子器件中得到廣泛的應(yīng)用，主要用來(lái)充當(dāng)絕緣層、鈍化保護(hù)層以及各種敏感膜層等，而且還具有很高的硬度和強(qiáng)的化學(xué)穩(wěn)定性，從而在材料改性技術(shù)領(lǐng)域中也將有著廣闊的應(yīng)用前景。【摘要】本文介紹了在光電子器件制造中常用的幾種薄膜技術(shù)的原理以及各自的特點(diǎn)。

【關(guān)鍵詞】薄膜原理應(yīng)用光電子器件