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篇1

關(guān)鍵詞：CDIO；集成電路設(shè)計(jì)；人才培養(yǎng)模式

中圖分類號(hào)：640 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：1002-4107（2013）03-0062-02

隨著經(jīng)濟(jì)全球化的飛速發(fā)展，現(xiàn)代企業(yè)急需高技能人才，企業(yè)的用人標(biāo)準(zhǔn)逐漸提高，畢業(yè)生的就業(yè)形勢(shì)越來(lái)越嚴(yán)峻。同時(shí)，又有相當(dāng)一部分畢業(yè)生動(dòng)手能力差，分析問(wèn)題、解決問(wèn)題的能力弱，難以滿足社會(huì)要求。為了緩解企業(yè)人才的需求和大學(xué)人才培養(yǎng)模式之間的沖突，國(guó)內(nèi)外各高校都開(kāi)始積極調(diào)整現(xiàn)有的教學(xué)模式，提出工程創(chuàng)新教育與課程教學(xué)模式相結(jié)合的全新理念，即CDIO（構(gòu)思，設(shè)計(jì)，實(shí)施，運(yùn)行）理念。它是“做中學(xué)”和“以項(xiàng)目作為核心的教育和學(xué)習(xí)”的集中體現(xiàn)，以產(chǎn)品的生命周期為載體，讓學(xué)生將理論知識(shí)和實(shí)踐有機(jī)結(jié)合起來(lái)。在CDIO理念的指引下，培養(yǎng)學(xué)生的工程能力，通過(guò)對(duì)項(xiàng)目整個(gè)過(guò)程的構(gòu)思、設(shè)計(jì)、實(shí)施和運(yùn)行作為載體的操作來(lái)提高學(xué)生的工程實(shí)踐能力，這些能力包括個(gè)人的學(xué)術(shù)知識(shí)，個(gè)人的終身學(xué)習(xí)能力，團(tuán)隊(duì)的溝通能力和系統(tǒng)的控制能力等[1]。

作為一門(mén)新興專業(yè)，集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)專業(yè)具有門(mén)檻高、內(nèi)容新、發(fā)展快、屬于交叉學(xué)科、與產(chǎn)業(yè)聯(lián)系緊密、實(shí)踐性強(qiáng)等一系列突出特點(diǎn)。它還沒(méi)有像其他專業(yè)一樣形成完成的知識(shí)體系，也沒(méi)有制定出專業(yè)的人才培養(yǎng)規(guī)范，導(dǎo)致我國(guó)各高校培養(yǎng)出來(lái)的集成電路專業(yè)人才無(wú)法適應(yīng)現(xiàn)代企業(yè)的需要，造成高技能人才的緊缺[2]。因此，研究基于CDIO理念的集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)專業(yè)人才培養(yǎng)模式，切實(shí)做好集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)專業(yè)的工程教育，改革高校的工程教育模式，培養(yǎng)出能適應(yīng)經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展需要的專業(yè)人才是十分必要的。

一、集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)專業(yè)人才培養(yǎng)模式的局限性

作為具有很強(qiáng)的工程性和實(shí)踐性的專業(yè)，集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)專業(yè)的人才培養(yǎng)目標(biāo)應(yīng)定位于具有較高的工程素質(zhì)、很強(qiáng)的實(shí)踐和科研創(chuàng)新技能的高級(jí)人才。但由于我國(guó)集成電路專業(yè)人才培養(yǎng)模式存在局限性，導(dǎo)致企業(yè)需求與人才能力相脫節(jié)，具體局限性表現(xiàn)如下。

1.教學(xué)嚴(yán)重學(xué)術(shù)化，過(guò)分重視學(xué)生的理論教育，而輕視實(shí)踐教育。在教育教學(xué)過(guò)程中，忽視了學(xué)生的自學(xué)能力和實(shí)際的動(dòng)手能力，使得教學(xué)與實(shí)際相脫離。

2.專業(yè)課程之間存在知識(shí)的冗余，課程內(nèi)容之間的相關(guān)性、相承性、互補(bǔ)性得不到有機(jī)整合，使得學(xué)生對(duì)項(xiàng)目的思路混亂，阻礙了學(xué)生構(gòu)思能力的提升。

3.實(shí)驗(yàn)與實(shí)踐環(huán)節(jié)缺乏系統(tǒng)的規(guī)劃，導(dǎo)致實(shí)驗(yàn)內(nèi)容陳舊，實(shí)驗(yàn)方法單一，實(shí)驗(yàn)?zāi)Ｊ竭^(guò)于呆板。而實(shí)驗(yàn)內(nèi)容大多為針對(duì)理論教材的驗(yàn)證性實(shí)驗(yàn)，呆板的實(shí)驗(yàn)?zāi)Ｊ胶蛯?shí)驗(yàn)內(nèi)容很難使學(xué)生對(duì)學(xué)習(xí)產(chǎn)生興趣，不能充分挖掘?qū)W生的創(chuàng)新能力。實(shí)踐環(huán)節(jié)沒(méi)有明確的培養(yǎng)目的，缺乏整體規(guī)劃，實(shí)踐環(huán)節(jié)是學(xué)生工程實(shí)踐能力提高的重要環(huán)節(jié)。因此，實(shí)驗(yàn)與實(shí)踐環(huán)節(jié)應(yīng)與教學(xué)大綱相輔相成。

4.專業(yè)教師缺乏企業(yè)管理經(jīng)驗(yàn)和工程訓(xùn)練能力。大多數(shù)教師雖然學(xué)位和學(xué)歷很高，但一直從事教育教學(xué)工作，缺少實(shí)際工程背景和實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，帶領(lǐng)并指導(dǎo)學(xué)生做實(shí)際工程項(xiàng)目時(shí)，學(xué)生遇到的實(shí)際問(wèn)題得不到很好的解決。

二、基于CDIO理念集成專業(yè)的人才培養(yǎng)目標(biāo)

集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)專業(yè)旨在培養(yǎng)具有良好的科學(xué)素養(yǎng)和國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，適應(yīng)社會(huì)主義現(xiàn)代化建設(shè)需要的高級(jí)人才。通過(guò)基礎(chǔ)與專業(yè)、理論與實(shí)踐相結(jié)合的培養(yǎng)模式，培養(yǎng)既具有良好的文化修養(yǎng)和科學(xué)素質(zhì)，又具有堅(jiān)實(shí)的理論基礎(chǔ)，同時(shí)具有豐富的集成電路開(kāi)發(fā)、設(shè)計(jì)和工程管理能力的應(yīng)用型高級(jí)人才[3]。通過(guò)大學(xué)四年的學(xué)習(xí)，使得集成專業(yè)學(xué)生畢業(yè)后掌握得以下幾方面的知識(shí)與能力。

1.具有深厚的理論修養(yǎng)、扎實(shí)的專業(yè)基礎(chǔ)知識(shí)、開(kāi)闊的視野和高尚的職業(yè)素養(yǎng)。

2.具有良好的科學(xué)素養(yǎng)和較強(qiáng)的外語(yǔ)應(yīng)用能力，對(duì)全世界科學(xué)和技術(shù)的發(fā)展動(dòng)態(tài)有敏銳的觀察力。

3.具有工程推理與判斷、發(fā)現(xiàn)問(wèn)題和解決問(wèn)題的技能，能夠進(jìn)行科學(xué)研究和開(kāi)發(fā)應(yīng)用實(shí)際的項(xiàng)目。

4.具有良好的溝通、組織協(xié)調(diào)、團(tuán)隊(duì)合作的能力。

5.能夠掌握集成電路的基本設(shè)計(jì)原理，熟悉制造工藝，能從事或參與集成領(lǐng)域產(chǎn)品的研究、開(kāi)發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試、應(yīng)用、銷售和管理工作。

三、CDIO理念下集成專業(yè)的人才培養(yǎng)模式的具體實(shí)施

（一）制定基于CDIO理念的專業(yè)教學(xué)大綱和實(shí)驗(yàn)大綱

將CDIO理念融入到專業(yè)教學(xué)大綱和實(shí)驗(yàn)大綱中，結(jié)合具體實(shí)際的項(xiàng)目制定集成專業(yè)課程大綱。大綱應(yīng)體現(xiàn)以下四個(gè)方面的內(nèi)容：基本技術(shù)和理論知識(shí)、個(gè)人的專職技能、人際交往能力和在現(xiàn)實(shí)社會(huì)環(huán)境中的CDIO能力。因此，制定專業(yè)教學(xué)大綱時(shí)，首先考慮在低年級(jí)引入導(dǎo)論課程，使學(xué)生對(duì)專業(yè)前景、發(fā)展方向有清晰的認(rèn)識(shí)和了解。其次，要充分考慮課程導(dǎo)論與其他相關(guān)課程之間的內(nèi)在關(guān)系?？紤]課程的教學(xué)對(duì)象與教學(xué)目標(biāo)、課程的內(nèi)容、學(xué)時(shí)具體分配及主要的教學(xué)方法、實(shí)踐環(huán)節(jié)的要求、課程與教師考核等問(wèn)題。大綱制定過(guò)程中，自始至終都要充分體現(xiàn)CDIO理念、本專業(yè)的教學(xué)課程同企業(yè)項(xiàng)目之間的緊密關(guān)系。在制定實(shí)驗(yàn)大綱時(shí)要結(jié)合教學(xué)大綱，明確實(shí)驗(yàn)?zāi)康?，將每門(mén)課程的實(shí)驗(yàn)按照基礎(chǔ)類型、設(shè)計(jì)類型、創(chuàng)新類型和綜合類型的比例合理劃分，充分考慮實(shí)驗(yàn)學(xué)時(shí)、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容、使用的工具及具體方法等問(wèn)題，培養(yǎng)學(xué)生的動(dòng)手能力、創(chuàng)新能力和應(yīng)用能力。

（二）制定基于CDIO理念的模塊化課程體系

按照CDIO理念的教學(xué)大綱對(duì)學(xué)生能力的要求，結(jié)合集成專業(yè)培養(yǎng)應(yīng)用型人才的定位，建立了以“基礎(chǔ)課程、專業(yè)課程、實(shí)踐課程、核心特色課程”相結(jié)合的模塊化課程體系[4]。其中，基礎(chǔ)課程主要由公共基礎(chǔ)課程、素質(zhì)課程、學(xué)科基礎(chǔ)課程三部分組成，通過(guò)基礎(chǔ)課程的學(xué)習(xí)，使學(xué)生具有良好的科學(xué)素養(yǎng)和文化修養(yǎng)的同時(shí)，又具有堅(jiān)實(shí)的理論基礎(chǔ)。專業(yè)課程主要包括專業(yè)平臺(tái)課程、專業(yè)方向課程，由教師課堂傳授專業(yè)知識(shí)。實(shí)踐課程主要包括課程設(shè)計(jì)、生產(chǎn)實(shí)習(xí)和畢業(yè)設(shè)計(jì)。培養(yǎng)學(xué)生具有良好的科學(xué)與工程素養(yǎng)，具有較強(qiáng)的自學(xué)能力和分析解決問(wèn)題的能力。核心特色課程主要包括專業(yè)選修課程，聘請(qǐng)國(guó)內(nèi)外集成專業(yè)資深教授、企業(yè)高級(jí)人才以實(shí)際項(xiàng)目作為案例進(jìn)行授課。

（三）舉辦基于CDIO理念的電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽

電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽是在教師啟發(fā)引導(dǎo)下，學(xué)生通過(guò)競(jìng)賽來(lái)提高自己的自主學(xué)習(xí)能力、創(chuàng)新實(shí)踐能力。圍繞指定的競(jìng)賽題目，或?qū)W生以小組形式自主選擇的題目，讓學(xué)生進(jìn)行構(gòu)思，設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)和運(yùn)作，將所選題目進(jìn)行產(chǎn)品化。通過(guò)構(gòu)思，分析客戶的需求，預(yù)估產(chǎn)品的功能，設(shè)計(jì)技術(shù)方案，制定技術(shù)程序，并對(duì)小組成員進(jìn)行分工，細(xì)化每個(gè)成員的任務(wù)。設(shè)計(jì)的任務(wù)主要包括產(chǎn)品的規(guī)劃、原理設(shè)計(jì)、技術(shù)方案等。以構(gòu)思和設(shè)計(jì)為基礎(chǔ)，將最終的設(shè)計(jì)方案轉(zhuǎn)變成實(shí)際產(chǎn)品，并對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行測(cè)試的過(guò)程即為產(chǎn)品的實(shí)施過(guò)程。對(duì)產(chǎn)品的運(yùn)作主要包括對(duì)產(chǎn)品的前期程序調(diào)試，對(duì)系統(tǒng)功能進(jìn)行改進(jìn)。通過(guò)電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽，將CDIO理念的構(gòu)思、設(shè)計(jì)、實(shí)現(xiàn)和運(yùn)作融為一個(gè)有機(jī)的整體，提高學(xué)生的工程實(shí)踐能力，充分培養(yǎng)學(xué)生獨(dú)立發(fā)現(xiàn)問(wèn)題、解決實(shí)踐問(wèn)題的能力，培養(yǎng)學(xué)生團(tuán)隊(duì)合作能力和大系統(tǒng)掌控能力。

（四）基于CDIO理念的教學(xué)方法改革

改變傳統(tǒng)的教學(xué)手段和教學(xué)方法，在教育方法上力求做到教師講授與學(xué)生實(shí)踐相結(jié)合，個(gè)人學(xué)習(xí)與團(tuán)隊(duì)合作學(xué)習(xí)相結(jié)合，讓學(xué)生“主動(dòng)學(xué)習(xí)”。將案例教學(xué)引入到課堂中，采用 “探究式”的授課方法，引導(dǎo)學(xué)生主動(dòng)思考，并分組進(jìn)行討論，確定解決問(wèn)題的方法，給學(xué)生創(chuàng)造實(shí)驗(yàn)環(huán)境去驗(yàn)證方法的可行性[5]。聘請(qǐng)校外專家、學(xué)者或企業(yè)工程管理人才為學(xué)生做專題講座，進(jìn)行輔導(dǎo)與授課，并定期派學(xué)生到企業(yè)去學(xué)習(xí)與實(shí)踐鍛煉。

（五）加強(qiáng)教師隊(duì)伍建設(shè)，提高教師的CDIO能力

為教師提供去國(guó)外或者企業(yè)學(xué)習(xí)與交流的機(jī)會(huì)，讓教師親自參與到項(xiàng)目實(shí)訓(xùn)中，通過(guò)與企業(yè)項(xiàng)目工程師學(xué)習(xí)與合作提高教師自身的工程實(shí)踐能力。聘請(qǐng)集成領(lǐng)域的國(guó)內(nèi)外專家、學(xué)者、企業(yè)的項(xiàng)目經(jīng)理、工程管理人員、工程設(shè)計(jì)人員，與本專業(yè)教師共同組建一支“多樣性、復(fù)合型、高精端、產(chǎn)學(xué)研”的師資隊(duì)伍，一起承擔(dān)集成專業(yè)的人才培養(yǎng)任務(wù)。

針對(duì)我國(guó)目前集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)專業(yè)工程人才緊缺的現(xiàn)狀，本文提出了CDIO理念下的人才培養(yǎng)模式，強(qiáng)調(diào)高校學(xué)生的專業(yè)知識(shí)技能和實(shí)踐創(chuàng)新的工程能力，有效地解決了企業(yè)和人才能力相脫節(jié)的問(wèn)題，從而為社會(huì)和企業(yè)培養(yǎng)更多合格的“專業(yè)型、創(chuàng)新型、應(yīng)用型”的工程人才，更好地推進(jìn)高等工程教育的改革，使我們的創(chuàng)新實(shí)踐教育更上一個(gè)臺(tái)階。

參考文獻(xiàn)：

[1]江帆，張春良，王一軍，喻萍.CDIO開(kāi)放教學(xué)模式研究[J].教學(xué)研究，2012，（2）.

[2]劉勝輝，崔林海，黃海.集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)專業(yè)課程體系研究與實(shí)踐[J].計(jì)算機(jī)教育，2008，（22）.

[3]方卓紅，曲英杰.關(guān)于集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)本科專業(yè)課程體系的研究[J].科技信息，2007，（27）.

篇2

關(guān)鍵詞：二次經(jīng)營(yíng) 認(rèn)識(shí)

中圖分類號(hào)：F540.3 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：

施工二次經(jīng)營(yíng)是指施工單位在施工合同履約過(guò)程中，對(duì)并非自己的失誤，而應(yīng)由業(yè)主承擔(dān)責(zé)任造成的工程延期、費(fèi)用增加，向業(yè)主提出補(bǔ)償損失的一種權(quán)利要求。“二次經(jīng)營(yíng)”最終目的是在合同履行過(guò)程中通過(guò)降本增效獲取最好的管理效益。

然而，施工單位要搞好施工二次經(jīng)營(yíng)并不是一件容易的事。以下是本人對(duì)施工單位搞好公路工程項(xiàng)目施工二次經(jīng)營(yíng)的幾點(diǎn)認(rèn)識(shí)。

一、正確理解二次經(jīng)營(yíng)，增強(qiáng)二次經(jīng)營(yíng)意識(shí)

施工單位要做好工程項(xiàng)目的施工二次經(jīng)營(yíng)工作，首先就要學(xué)習(xí)了解二次經(jīng)營(yíng)知識(shí)，不斷增強(qiáng)二次經(jīng)營(yíng)的意識(shí)。

1、二次經(jīng)營(yíng)的一大特點(diǎn)是：對(duì)于二次經(jīng)營(yíng)事件造成的損失，施工單位只有“索”，建設(shè)單位才會(huì)“賠”，不“索”則不“賠”，二次經(jīng)營(yíng)完全在施工單位自己。因此，施工單位要積極主動(dòng)進(jìn)行二次經(jīng)營(yíng)。

2、企業(yè)是以追求利潤(rùn)為目的。二次經(jīng)營(yíng)的性質(zhì)屬于經(jīng)濟(jì)補(bǔ)償行為，它是施工單位挽回非自身原因造成施工損失的重要手段。所以，施工單位在進(jìn)行正常的工程項(xiàng)目成本控制的同時(shí)，必須重視做好施工二次經(jīng)營(yíng)工作，挽回不應(yīng)有的施工損失，以實(shí)現(xiàn)工程項(xiàng)目利潤(rùn)的最大化。

二、熟讀合同條款，掌握二次經(jīng)營(yíng)依據(jù)

施工合同文件是施工二次經(jīng)營(yíng)的重要依據(jù)。施工單位提出施工二次經(jīng)營(yíng)的主要依據(jù)是施工合同文件中的相關(guān)條款，依據(jù)是否合理充分，是二次經(jīng)營(yíng)能否成立的首要關(guān)鍵。對(duì)此，可從以下兩步來(lái)實(shí)施。

在工程中標(biāo)商簽施工合同過(guò)程中，經(jīng)營(yíng)開(kāi)發(fā)部門(mén)要組織相關(guān)人員對(duì)施工合同進(jìn)行評(píng)審，特別是對(duì)可能產(chǎn)生二次經(jīng)營(yíng)的有關(guān)合同條款進(jìn)行認(rèn)真分析研究，并做好記錄。要對(duì)業(yè)主方明顯把重大風(fēng)險(xiǎn)轉(zhuǎn)嫁給施工單位的合同條件，以及業(yè)主開(kāi)脫責(zé)任的條款特別注意，如：在一些地方工程的施工合同中，沒(méi)有列二次經(jīng)營(yíng)條款；合同條件中寫(xiě)入了無(wú)延誤補(bǔ)償，拖期付款無(wú)時(shí)限，無(wú)利息；業(yè)主對(duì)不可預(yù)見(jiàn)的工程條件和不可抗力造成損失不承擔(dān)責(zé)任等等。對(duì)于這些，在合同商簽時(shí)，要根據(jù)《建設(shè)工程施工合同（示范文本）》的有關(guān)條款，向發(fā)包方提出修改的要求，對(duì)達(dá)成修改的協(xié)議應(yīng)以“紀(jì)要”的形式寫(xiě)出，作為該合同文件的有效組成部分，為可能發(fā)生的施工二次經(jīng)營(yíng)提供依據(jù)。

2、在施工合同簽訂完，工程項(xiàng)目部進(jìn)駐工地后，項(xiàng)目經(jīng)理要組織參建的技術(shù)、管理骨干認(rèn)真推敲合同的內(nèi)容，必要時(shí)可邀請(qǐng)參加合同談判簽訂的人員共同研討。針對(duì)工程項(xiàng)目的特點(diǎn)，結(jié)合合同的二次經(jīng)營(yíng)條款列出重點(diǎn)要關(guān)注的二次經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目和內(nèi)容。

三、收集原始資料，充實(shí)二次經(jīng)營(yíng)證據(jù)

二次經(jīng)營(yíng)證據(jù)作為二次經(jīng)營(yíng)文件的重要組成部分，是保證二次經(jīng)營(yíng)要求有效的前提條件，它關(guān)系到二次經(jīng)營(yíng)的成敗。二次經(jīng)營(yíng)的證據(jù)是施工過(guò)程中的原始記錄或?qū)κ┕せ顒?dòng)的認(rèn)可，必須真實(shí)和全面地反映二次經(jīng)營(yíng)事件發(fā)生時(shí)的情況。因此，施工單位在工程開(kāi)始施工時(shí)，就要建立嚴(yán)格的原始資料收集制度，并在施工過(guò)程中按二次經(jīng)營(yíng)證據(jù)的種類進(jìn)行整理、匯編和歸檔管理。對(duì)于所有的施工二次經(jīng)營(yíng)而言，以下原始資料的收集是非常重要的。

1、會(huì)議記錄。如標(biāo)前會(huì)議紀(jì)要、施工協(xié)調(diào)會(huì)議紀(jì)要、施工進(jìn)度變更會(huì)議紀(jì)要、施工技術(shù)討論會(huì)議紀(jì)要、二次經(jīng)營(yíng)會(huì)議紀(jì)要等等工地會(huì)議記錄，都必須全部保存妥當(dāng)，直到合同全部履行完畢、所有二次經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目獲得解決為止。

2、施工現(xiàn)場(chǎng)記錄。主要包括施工日志、施工檢查記錄、工時(shí)記錄、相關(guān)工程數(shù)量、設(shè)備或材料使用記錄、施工進(jìn)度記錄。在施工中發(fā)生影響工期和索賠有關(guān)的事項(xiàng)，都要及時(shí)做好記錄。按年月日順序號(hào)存檔，以便查找。

3、工程來(lái)往信件。如工程師(或業(yè)主)的各種工程指令，業(yè)主對(duì)施工單位問(wèn)題的書(shū)面回答等，這些信函(包括傳真資料)都具有與合同文件同等的效力，是結(jié)算和二次經(jīng)營(yíng)的依據(jù)資料。還要做好工程師的口頭指示記錄，及時(shí)以書(shū)面形式讓工程師予以承認(rèn)。同時(shí)將這些書(shū)面資料要按年月日順序編號(hào)整理存放。

4、工程照片和工程聲像資料都是反映客觀情況的真實(shí)寫(xiě)照，需有專人拍攝妥善保存，照片都應(yīng)標(biāo)明拍攝的日期，最好購(gòu)買帶有日期的相機(jī)。

5、記錄每天的氣象報(bào)告和實(shí)際氣候情況，重點(diǎn)關(guān)注可能發(fā)生二次經(jīng)營(yíng)事件的非常氣象條件（降水量、風(fēng)力、氣溫、河水位、河水流量、洪水位等）資料的收集。

6、工程財(cái)務(wù)記錄。如工人勞動(dòng)計(jì)工卡和工資單，設(shè)備、材料和零配件采購(gòu)單、付款收據(jù)，工程開(kāi)支月報(bào)等等。在二次經(jīng)營(yíng)計(jì)價(jià)工作中，財(cái)務(wù)單證十分重要。

7、所有的合同標(biāo)書(shū)文件、報(bào)價(jià)資料、合約圖紙、修改增加圖紙、計(jì)劃工程進(jìn)度表、材料設(shè)備進(jìn)場(chǎng)報(bào)表及賬單（工程付款單）等需歸類保存入檔。

8、市場(chǎng)信息資料。對(duì)于大中型土建工程，一般工期長(zhǎng)達(dá)數(shù)年，對(duì)物價(jià)變動(dòng)等報(bào)道資料，應(yīng)系統(tǒng)地收集整理，這對(duì)于工程款的調(diào)價(jià)計(jì)算是必不可少的，對(duì)二次經(jīng)營(yíng)亦同等重要。如國(guó)家對(duì)柴油、汽油及其他重點(diǎn)物資的調(diào)價(jià)、工人工資重大調(diào)整等。

施工單位只有通過(guò)收集大量的基礎(chǔ)資料，整理出互為關(guān)聯(lián)和具有法律效力的二次經(jīng)營(yíng)證據(jù)，來(lái)證明自己擁有的二次經(jīng)營(yíng)權(quán)利，才能使二次經(jīng)營(yíng)獲得成功。

四、執(zhí)行二次經(jīng)營(yíng)規(guī)定，遵循二次經(jīng)營(yíng)程序

二次經(jīng)營(yíng)工作要有理（證據(jù)），還要有節(jié)（程序）。如果不遵循施工合同規(guī)定的二次經(jīng)營(yíng)程序，二次經(jīng)營(yíng)權(quán)力就會(huì)受到限制甚至于失去。因此，施工單位在發(fā)生二次經(jīng)營(yíng)事件時(shí)，必須履行合同義務(wù)，遵循二次經(jīng)營(yíng)程序，按照合同規(guī)定的二次經(jīng)營(yíng)程序和時(shí)限及時(shí)辦理。

五、編撰二次經(jīng)營(yíng)報(bào)告，論證二次經(jīng)營(yíng)權(quán)利

編寫(xiě)完整和具有說(shuō)服力的二次經(jīng)營(yíng)報(bào)告，是二次經(jīng)營(yíng)工作的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。其內(nèi)容一般包括以下4個(gè)部分：

1、二次經(jīng)營(yíng)事件概述。簡(jiǎn)明扼要地論述二次經(jīng)營(yíng)事件發(fā)生的時(shí)間和過(guò)程，以及具體的二次經(jīng)營(yíng)要求。

2、二次經(jīng)營(yíng)權(quán)利論證。這部分是二次經(jīng)營(yíng)報(bào)告中心點(diǎn)，應(yīng)敘述事件客觀事實(shí)，合理引用合同規(guī)定，建立事實(shí)與損失之間的因果關(guān)系，聯(lián)系切實(shí)有效的證據(jù)，說(shuō)明二次經(jīng)營(yíng)的合理合法性，全面地論證二次經(jīng)營(yíng)權(quán)力。

3、二次經(jīng)營(yíng)數(shù)額計(jì)算。這部分具體論證工期和費(fèi)用補(bǔ)償?shù)臄?shù)額。施工單位在二次經(jīng)營(yíng)中大部分提的是費(fèi)用補(bǔ)償，其計(jì)算應(yīng)符合合同規(guī)定的補(bǔ)償條件和計(jì)算基礎(chǔ)。計(jì)算方法一般是從受事件影響的各項(xiàng)目的人工費(fèi)、材料費(fèi)、機(jī)使費(fèi)及管理費(fèi)入手，逐項(xiàng)列表計(jì)算。計(jì)算方法的選擇要以對(duì)自身有利為前提，也要有個(gè)度。否則，二次經(jīng)營(yíng)值計(jì)算過(guò)低，自身實(shí)際損失得不到應(yīng)有補(bǔ)償，導(dǎo)致虧損或失去獲利機(jī)會(huì)；計(jì)算太高，會(huì)引起業(yè)主反感，增大二次經(jīng)營(yíng)難度。二次經(jīng)營(yíng)總額中要考慮談判時(shí)的讓步值。

4、證據(jù)資料。它是二次經(jīng)營(yíng)報(bào)告的重要組成部分，必須根據(jù)論證和計(jì)算的需要按順序并編號(hào)作為附件附上。

六、講究策略技巧，確保二次經(jīng)營(yíng)成功

1、確定二次經(jīng)營(yíng)目標(biāo)。

2、努力干好在建工程。施工二次經(jīng)營(yíng)成功的首要條件是施工單位按照施工合同要求把工程建設(shè)好，保證工程質(zhì)量；能按照業(yè)主的工程變更指令施工，努力克服因特殊風(fēng)險(xiǎn)或人力不可抗拒的自然災(zāi)害引起的施工困難，保證施工進(jìn)度。使業(yè)主和監(jiān)理工程師滿意。如我單位在長(zhǎng)治至安陽(yáng)高速公路第LJ17合同段施工中，互通區(qū)處灰土處理工程費(fèi)用一直懸而未決。因此工程為根據(jù)設(shè)計(jì)方案變更，致使工程成本增加，業(yè)主一直不愿支付這部分費(fèi)用，當(dāng)我們微子橋轉(zhuǎn)體工程圓滿完成后，積極與業(yè)主溝通，經(jīng)監(jiān)理現(xiàn)場(chǎng)簽認(rèn)，溝通設(shè)計(jì)院，從預(yù)算上予以變更增加費(fèi)用，請(qǐng)求解決灰土處理工程費(fèi)用，就得到簽認(rèn)，并實(shí)現(xiàn)計(jì)價(jià)136萬(wàn)元。

3、處理好對(duì)外關(guān)系。施工單位在合同履行過(guò)程中，要與合同各方，如業(yè)主、監(jiān)理工程師、設(shè)計(jì)單位以及業(yè)主的上級(jí)單位等，利用各種途徑，交流信息，加強(qiáng)聯(lián)系，建立和保持良好關(guān)系，創(chuàng)造有利的外部環(huán)境。

結(jié)束語(yǔ)：綜上所述，施工二次經(jīng)營(yíng)，雖然操作難度較大，甚至?xí)r間跨度很大，但只要施工單位的人員掌握、運(yùn)用好上述的基本要領(lǐng)，是可以索賠成功的。

參考文獻(xiàn)：

篇3

【關(guān)鍵詞】集成電路；EDA；項(xiàng)目化

0 前言

21世紀(jì)是信息時(shí)代，信息社會(huì)的快速發(fā)展對(duì)集成電路設(shè)計(jì)人才的需求激增。我國(guó)高校開(kāi)設(shè)集成電路設(shè)計(jì)課程的相關(guān)專業(yè)，每年畢業(yè)的人數(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)滿足不了市場(chǎng)的需求，因此加大相關(guān)專業(yè)人才的培養(yǎng)力度是各大高校的當(dāng)務(wù)之急。針對(duì)這種市場(chǎng)需求，我校電子信息工程專業(yè)電子方向致力于培養(yǎng)基礎(chǔ)知識(shí)扎實(shí)，工程實(shí)踐動(dòng)手能力強(qiáng)的集成電路設(shè)計(jì)人才[1]。

針對(duì)集成電路設(shè)計(jì)課程體系，進(jìn)行課程教學(xué)改革。教學(xué)改革的核心是教學(xué)課程體系的改革，包括理論教學(xué)內(nèi)容改革和實(shí)踐教學(xué)環(huán)節(jié)改革，旨在改進(jìn)教學(xué)方法，提高教學(xué)質(zhì)量，現(xiàn)已做了大量的實(shí)際工作，取得了一定的教學(xué)成效。改革以集成電路設(shè)計(jì)流程為主線，通過(guò)對(duì)主流集成電路開(kāi)發(fā)工具Tanner Pro EDA設(shè)計(jì)工具的學(xué)習(xí)和使用，讓學(xué)生掌握現(xiàn)代設(shè)計(jì)思想和方法，理論與實(shí)踐并重，熟悉從系統(tǒng)建模到芯片版圖設(shè)計(jì)的全過(guò)程，培養(yǎng)學(xué)生具備從簡(jiǎn)單的電路設(shè)計(jì)到復(fù)雜電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的能力，具備進(jìn)行集成電路設(shè)計(jì)的基本專業(yè)知識(shí)和技能。

1 理論教學(xué)內(nèi)容的改革

集成電路設(shè)計(jì)課程的主要內(nèi)容包括半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體制造工藝、半導(dǎo)體器件原理、模擬電路設(shè)計(jì)、數(shù)字電路設(shè)計(jì)、版圖設(shè)計(jì)及Tanner EDA工具等內(nèi)容，涉及到集成電路從選材到制造的不同階段。傳統(tǒng)的理論課程教學(xué)方式，以教師講解為主，板書(shū)教學(xué)，但由于課程所具有的獨(dú)特性，在介紹半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體工藝時(shí)，主要靠教師的描述，不直觀形象，因此引進(jìn)計(jì)算機(jī)輔助教學(xué)。計(jì)算機(jī)輔助教學(xué)是對(duì)傳統(tǒng)教學(xué)的補(bǔ)充和完善，以多媒體教學(xué)為主，結(jié)合板書(shū)教學(xué)，以圖片形式展現(xiàn)各種形態(tài)的半導(dǎo)體材料，以動(dòng)畫(huà)的形式播放集成電路的制造工藝流程，每一種基本電路結(jié)構(gòu)都給出其典型的版圖照片，使學(xué)生對(duì)集成電路建立直觀的感性認(rèn)識(shí)，充分激發(fā)教師和學(xué)生在教學(xué)活動(dòng)中的主動(dòng)性和互動(dòng)性，提高教學(xué)效率和教學(xué)質(zhì)量。

2 實(shí)踐教學(xué)內(nèi)容的改革

實(shí)踐教學(xué)的目的是依托主流的集成電路設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，讓學(xué)生初步掌握集成電路設(shè)計(jì)流程和基本的集成電路設(shè)計(jì)能力，為今后走上工作崗位打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。傳統(tǒng)的教學(xué)方式是老師提前編好實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書(shū)，學(xué)生按照實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書(shū)的要求，一步步來(lái)完成實(shí)驗(yàn)。傳統(tǒng)的實(shí)驗(yàn)方式不能很好調(diào)動(dòng)學(xué)生的積極性，再加上考核方式比較單一，學(xué)生對(duì)集成電路設(shè)計(jì)的概念和流程比較模糊，為了打破這種局面，實(shí)踐環(huán)節(jié)采用與企業(yè)密切相關(guān)的工程項(xiàng)目來(lái)完成。項(xiàng)目化實(shí)踐環(huán)節(jié)可以充分發(fā)揮學(xué)生的主動(dòng)性，使學(xué)生能夠積極參與到教學(xué)當(dāng)中，從而更好的完成教學(xué)目標(biāo)，同時(shí)也能夠增強(qiáng)學(xué)生的工程意識(shí)和合作意識(shí)。

實(shí)踐環(huán)節(jié)選取CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源作為本次實(shí)踐教學(xué)的項(xiàng)目。該項(xiàng)目來(lái)源于企業(yè)，是數(shù)模轉(zhuǎn)換器和模數(shù)轉(zhuǎn)換器的一個(gè)重要的組成模塊。本項(xiàng)目從電路設(shè)計(jì)、電路仿真、版圖設(shè)計(jì)、版圖驗(yàn)證等流程對(duì)學(xué)生做全面的訓(xùn)練，使學(xué)生對(duì)集成電路設(shè)計(jì)流程有深刻的認(rèn)識(shí)。學(xué)生要理解CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源的原理，參與到整個(gè)設(shè)計(jì)過(guò)程中，對(duì)整個(gè)電路進(jìn)行仿真測(cè)試，驗(yàn)證其功能的正確性，然后進(jìn)行各個(gè)元件的設(shè)計(jì)及布局布線，最后對(duì)版圖進(jìn)行了規(guī)則檢查和一致性檢查，完成整個(gè)電路的版圖設(shè)計(jì)和版圖原理圖比對(duì)，生成GDS II文件用于后續(xù)流片[2]。

CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)項(xiàng)目可分為四個(gè)部分啟動(dòng)電路、提供偏置電路、運(yùn)算放大器和帶隙基準(zhǔn)的核心電路部分。電路設(shè)計(jì)可由以下步驟來(lái)完成：

1）子功能塊電路設(shè)計(jì)及仿真；

2）整體電路參數(shù)調(diào)整及優(yōu)化；

3）基本元器件NMOS/PMOS的版圖；

4）基本單元與電路的版圖；

5）子功能塊版圖設(shè)計(jì)和整體版圖設(shè)計(jì)；

6）電路設(shè)計(jì)與版圖設(shè)計(jì)比對(duì)。

在整個(gè)項(xiàng)目化教學(xué)過(guò)程，參照企業(yè)項(xiàng)目合作模式將學(xué)生分為4個(gè)項(xiàng)目小組，每個(gè)小組完成一部分電路設(shè)計(jì)及版圖設(shè)計(jì)，每個(gè)小組推選一名專業(yè)能力較強(qiáng)且具有一定組織能力的同學(xué)擔(dān)任組長(zhǎng)對(duì)小組進(jìn)行管理。這樣做可以在培養(yǎng)學(xué)生設(shè)計(jì)能力的同時(shí)，加強(qiáng)學(xué)生的團(tuán)隊(duì)合作意識(shí)。在整個(gè)項(xiàng)目設(shè)計(jì)過(guò)程中，以學(xué)生探索和討論為主，教師起引導(dǎo)作用，給學(xué)生合理的建議，引導(dǎo)學(xué)生找出解決問(wèn)題的方法。項(xiàng)目完成后，根據(jù)項(xiàng)目實(shí)施情況對(duì)學(xué)生進(jìn)行考核，實(shí)現(xiàn)應(yīng)用型人才培養(yǎng)的目標(biāo)。

3 教學(xué)改革效果與創(chuàng)新

理論教學(xué)改革采用計(jì)算機(jī)輔助教學(xué)，以多媒體教學(xué)為主，結(jié)合板書(shū)教學(xué)，對(duì)集成電路材料和工藝有直觀感性的認(rèn)識(shí)，學(xué)生的課堂效率明顯提高，課堂氣氛活躍，師生互動(dòng)融洽。實(shí)踐環(huán)節(jié)改革通過(guò)項(xiàng)目化教學(xué)方式，學(xué)生對(duì)該課程的學(xué)習(xí)興趣明顯提高，設(shè)計(jì)目標(biāo)明確，在設(shè)計(jì)過(guò)程中學(xué)會(huì)了查找文獻(xiàn)資料，學(xué)會(huì)與人交流，溝通的能力也得到提高。同時(shí)項(xiàng)目化教學(xué)方式使學(xué)生對(duì)集成電路的設(shè)計(jì)特點(diǎn)及設(shè)計(jì)流程有了整體的認(rèn)識(shí)和把握，對(duì)元件的版圖設(shè)計(jì)流程有了一定的認(rèn)識(shí)。學(xué)生已經(jīng)初步掌握了集成電路的設(shè)計(jì)方法，但要達(dá)到較高的設(shè)計(jì)水平，設(shè)計(jì)出性能良好的器件，還需要在以后的工作中不斷總結(jié)經(jīng)驗(yàn)[3]。

4 存在問(wèn)題及今后改進(jìn)方向

集成電路設(shè)計(jì)課程改革雖然取得了一定的成果，但仍存在一些問(wèn)題：由于微電子技術(shù)發(fā)展速度很快，最新的行業(yè)技術(shù)在課堂教學(xué)中體現(xiàn)較少；學(xué)生實(shí)踐能力不高，動(dòng)手能力不強(qiáng)。

針對(duì)上述問(wèn)題，我們提出如下解決方法：

1）在課堂教學(xué)中及時(shí)引進(jìn)行業(yè)最新發(fā)展趨勢(shì)和（下轉(zhuǎn)第220頁(yè)）（上接第235頁(yè)）技術(shù)，使學(xué)生能夠及時(shí)接觸到行業(yè)前沿知識(shí)，增加與企業(yè)的合作；

2）加大實(shí)驗(yàn)室開(kāi)放力度，建立一個(gè)開(kāi)放的實(shí)驗(yàn)室供學(xué)生在課余時(shí)間自由使用，為學(xué)生提供實(shí)踐機(jī)會(huì)，并且鼓勵(lì)能力較強(qiáng)的學(xué)生參與到教師研項(xiàng)目當(dāng)中。

【參考文獻(xiàn)】

[1]段吉海.“半導(dǎo)體集成電路”課程建設(shè)與教學(xué)實(shí)踐[J].電氣電子教學(xué)學(xué)報(bào)，2007，05（29）.

篇4

一、完善課程設(shè)置

合理設(shè)置課程體系和課程內(nèi)容，是提高人才培養(yǎng)水平的關(guān)鍵。2009年，黑龍江大學(xué)集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)專業(yè)制定了該專業(yè)的課程體系，經(jīng)過(guò)這幾年教學(xué)工作的開(kāi)展與施行，發(fā)現(xiàn)仍存在一些不足之處，于是在2014年黑龍江大學(xué)開(kāi)展的教學(xué)計(jì)劃及人才培養(yǎng)方案的修訂工作中進(jìn)行了再次的改進(jìn)和完善。首先，在課程設(shè)置與課時(shí)安排上進(jìn)行適當(dāng)?shù)恼{(diào)整。對(duì)于部分課程調(diào)整其所開(kāi)設(shè)的學(xué)期及課時(shí)安排，不同課程中內(nèi)容重疊的章節(jié)或相關(guān)性較大的部分可進(jìn)行適當(dāng)刪減或融合。如：在原來(lái)的課程設(shè)置中，“數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)”課程與“CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)”課程分別設(shè)置在教學(xué)第六學(xué)期和第七學(xué)期。由于“數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)”課程中是以門(mén)級(jí)電路設(shè)計(jì)為基礎(chǔ)，所以學(xué)生在未進(jìn)行模擬集成電路課程的講授前，對(duì)于各種元器件的基本結(jié)構(gòu)、特性、工作原理、基本參數(shù)、工藝和版圖等這些基礎(chǔ)知識(shí)都是一知半解，因此對(duì)門(mén)級(jí)電路的整體設(shè)計(jì)分析難以理解和掌握，會(huì)影響學(xué)生的學(xué)習(xí)熱情及教學(xué)效果；而若在“數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)”課程中添加入相關(guān)知識(shí)，與“CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)”課程中本應(yīng)有的器件、工藝和版圖的相關(guān)內(nèi)容又會(huì)出現(xiàn)重疊。在調(diào)整后的課程設(shè)置中，先開(kāi)設(shè)了“CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)”課程，將器件、工藝和版圖的基礎(chǔ)知識(shí)首先進(jìn)行講授，令學(xué)生對(duì)于各器件在電路中所起的作用及特性能夠熟悉了解；在隨后“數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)”課程的學(xué)習(xí)中，對(duì)于應(yīng)用各器件進(jìn)行電路構(gòu)建時(shí)會(huì)更加得心應(yīng)手，達(dá)到較好的教學(xué)效果，同時(shí)也避免了內(nèi)容重復(fù)講授的問(wèn)題。此外，這樣的課程設(shè)置安排，將有利于本科生在“大學(xué)生集成電路設(shè)計(jì)大賽”的參與和競(jìng)爭(zhēng)，避免因?qū)W期課程的設(shè)置問(wèn)題，導(dǎo)致學(xué)生還未深入地接觸學(xué)習(xí)相關(guān)的理論課程及實(shí)驗(yàn)課程，從而出現(xiàn)理論知識(shí)儲(chǔ)備不足、實(shí)踐操作不熟練等種種情況，致使影響到參賽過(guò)程的發(fā)揮。調(diào)整課程安排后，本科生通過(guò)秋季學(xué)期中基礎(chǔ)理論知識(shí)的學(xué)習(xí)以及實(shí)踐操作能力的鍛煉，在參與春季大賽時(shí)能夠確保擁有足夠的理論知識(shí)和實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，具有較充足的參賽準(zhǔn)備，通過(guò)團(tuán)隊(duì)合作較好地完成大賽的各項(xiàng)環(huán)節(jié)，贏取良好賽果，為學(xué)校、學(xué)院及個(gè)人爭(zhēng)得榮譽(yù)，收獲寶貴的參賽經(jīng)驗(yàn)。其次，適當(dāng)降低理論課難度，將教學(xué)重點(diǎn)放在掌握集成電路設(shè)計(jì)及分析方法上，而不是讓復(fù)雜煩瑣的公式推導(dǎo)削弱了學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣，讓學(xué)生能夠較好地理解和掌握集成電路設(shè)計(jì)的方法和流程。第三，在選擇優(yōu)秀國(guó)內(nèi)外教材進(jìn)行教學(xué)的同時(shí)，從科研前沿、新興產(chǎn)品及技術(shù)、行業(yè)需求等方面提取教學(xué)內(nèi)容，激發(fā)學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣，實(shí)時(shí)了解前沿動(dòng)態(tài)，使學(xué)生能夠積極主動(dòng)地學(xué)習(xí)。

二、變革教學(xué)理念與模式

CDIO（構(gòu)思、設(shè)計(jì)、實(shí)施、運(yùn)行）理念，是目前國(guó)內(nèi)外各高校開(kāi)始提出的新型教育理念，將工程創(chuàng)新教育結(jié)合課程教學(xué)模式，旨在緩解高校人才培養(yǎng)模式與企業(yè)人才需求的沖突。在實(shí)際教學(xué)過(guò)程中，結(jié)合黑龍江大學(xué)集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)專業(yè)的“數(shù)模混合集成電路設(shè)計(jì)”課程，基于“逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器（SARADC）”的課題項(xiàng)目開(kāi)展教學(xué)內(nèi)容，將各個(gè)獨(dú)立分散的模擬或數(shù)字電路模塊的設(shè)計(jì)進(jìn)行有機(jī)串聯(lián)，使之成為具有連貫性的課題實(shí)踐內(nèi)容。在教學(xué)周期內(nèi)，以學(xué)生為主體、教師為引導(dǎo)的教學(xué)模式，令學(xué)生“做中學(xué)”，讓學(xué)生有目的地將理論切實(shí)應(yīng)用于實(shí)踐中，完成“構(gòu)思、設(shè)計(jì)、實(shí)踐和驗(yàn)證”的整體流程，使學(xué)生系統(tǒng)地掌握集成電路全定制方案的具體實(shí)施方法及設(shè)計(jì)操作流程。同時(shí)，通過(guò)以小組為單位，進(jìn)行團(tuán)隊(duì)合作，在組內(nèi)或組間的相互交流與學(xué)習(xí)中，相互促進(jìn)提高，培養(yǎng)學(xué)生善于思考、發(fā)現(xiàn)問(wèn)題及解決問(wèn)題的能力，鍛煉學(xué)生團(tuán)隊(duì)工作的能力及創(chuàng)新能力，并可以通過(guò)對(duì)新結(jié)構(gòu)、新想法進(jìn)行不同程度獎(jiǎng)勵(lì)加分的形式以激發(fā)學(xué)生的積極性和創(chuàng)新力。此外，該門(mén)課程的考核形式也不同，不是通過(guò)以往的試卷筆試形式來(lái)確定學(xué)生得分，而是以畢業(yè)論文的撰寫(xiě)要求，令每一組提供一份完整翔實(shí)的數(shù)據(jù)報(bào)告，鍛煉學(xué)生撰寫(xiě)論文、數(shù)據(jù)整理的能力，為接下來(lái)學(xué)期中的畢業(yè)設(shè)計(jì)打下一定的基礎(chǔ)。而對(duì)于教師的要求，不僅要有扎實(shí)的理論基礎(chǔ)還應(yīng)具備豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，因此青年教師要不斷提高專業(yè)能力和素質(zhì)?？赏ㄟ^(guò)參加研討會(huì)、專業(yè)講座、企業(yè)實(shí)習(xí)、項(xiàng)目合作等途徑分享和學(xué)習(xí)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，同時(shí)還應(yīng)定期邀請(qǐng)校外專家或?qū)I(yè)工程師進(jìn)行集成電路方面的專業(yè)座談、學(xué)術(shù)交流、技術(shù)培訓(xùn)等，進(jìn)行教學(xué)及實(shí)踐的指導(dǎo)。

三、加強(qiáng)EDA實(shí)踐教學(xué)

首先，根據(jù)企業(yè)的技術(shù)需求，引進(jìn)目前使用的主流EDA工具軟件，讓學(xué)生在就業(yè)前就可以熟練掌握應(yīng)用，將工程實(shí)際和實(shí)驗(yàn)教學(xué)緊密聯(lián)系，積累經(jīng)驗(yàn)的同時(shí)增加學(xué)生就業(yè)及繼續(xù)深造的機(jī)會(huì)，為今后競(jìng)爭(zhēng)打下良好的基礎(chǔ)。2009—2015年，黑龍江大學(xué)先后引進(jìn)數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)平臺(tái)Xilinx和FPGA實(shí)驗(yàn)箱、華大九天開(kāi)發(fā)的全定制集成電路EDA設(shè)計(jì)工具Aether以及Synopsys公司的EDA設(shè)計(jì)工具等，最大可能地滿足在校本科生和研究生的學(xué)習(xí)和科研。而面對(duì)目前學(xué)生人數(shù)眾多但實(shí)驗(yàn)教學(xué)資源相對(duì)不足的情況，如果可以借助黑龍江大學(xué)的校園網(wǎng)進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)集成電路設(shè)計(jì)平臺(tái)的搭建，實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程登錄，則在一定程度上可以滿足學(xué)生在課后進(jìn)行自主學(xué)習(xí)的需要。其次，根據(jù)企業(yè)崗位的需求可合理安排EDA實(shí)踐教學(xué)內(nèi)容，適當(dāng)增加實(shí)踐課程的學(xué)時(shí)。如通過(guò)運(yùn)算放大器、差分放大器、采樣電路、比較器電路、DAC、邏輯門(mén)電路、有限狀態(tài)機(jī)、分頻器、數(shù)顯鍵盤(pán)控制等各種類型電路模塊的設(shè)計(jì)和仿真分析，令學(xué)生掌握數(shù)字、模擬、數(shù)?；旌霞呻娐返脑O(shè)計(jì)方法及流程，在了解企業(yè)對(duì)于數(shù)字、模擬、數(shù)?；旌霞呻娐吩O(shè)計(jì)以及版圖設(shè)計(jì)等崗位要求的基礎(chǔ)上，有針對(duì)性地進(jìn)行模塊課程的學(xué)習(xí)與實(shí)踐操作的鍛煉，使學(xué)生對(duì)于相關(guān)的EDA實(shí)踐內(nèi)容真正融會(huì)貫通，為今后就業(yè)做好充足的準(zhǔn)備。第三，根據(jù)集成電路設(shè)計(jì)本科理論課程的教學(xué)內(nèi)容，以各應(yīng)用軟件為基礎(chǔ)，結(jié)合多媒體的教學(xué)方法，選取結(jié)合于理論課程內(nèi)容的實(shí)例，制定和編寫(xiě)相應(yīng)內(nèi)容的實(shí)驗(yàn)課件及操作流程手冊(cè)，如黑龍江大學(xué)的“CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)”和“數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)”課程，都已制定了比較詳盡的實(shí)踐手冊(cè)及實(shí)驗(yàn)內(nèi)容課件；通過(guò)網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)，使學(xué)生能夠更加方便地分享教學(xué)資源并充分利用資源隨時(shí)隨地地學(xué)習(xí)。

四、搭建校企合作平臺(tái)

篇5

同一天，中國(guó)集成電路行業(yè)單體投資最大的項(xiàng)目――總投資240億美元的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目也在武漢東湖高新區(qū)正式動(dòng)工建設(shè)。

中國(guó)正在掀起建設(shè)集成電路產(chǎn)業(yè)園的新。

集成電路或其載體芯片，是信息化時(shí)代的“工業(yè)糧食”。國(guó)際咨詢機(jī)構(gòu)IDC的數(shù)據(jù)顯示，2015年，中國(guó)集成電路市場(chǎng)規(guī)模達(dá)11024億元，占全球市場(chǎng)的一半，已成為世界最大的集成電路市場(chǎng)，但銷售收入僅3618.5億元，自給率最大值僅3成左右。

2014年6月，國(guó)務(wù)院印發(fā)《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，提出當(dāng)前和今后一段時(shí)期是中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要戰(zhàn)略機(jī)遇期和攻堅(jiān)期。加快推進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，對(duì)轉(zhuǎn)變經(jīng)濟(jì)發(fā)展方式、保障國(guó)家安全、提升綜合國(guó)力具有重大戰(zhàn)略意義。這也點(diǎn)燃了各地興建芯片產(chǎn)業(yè)園的熱情。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，目前已有北京、上海、合肥等20多個(gè)城市已建或者準(zhǔn)備建設(shè)集成電路產(chǎn)業(yè)園。

但集成電路全球市場(chǎng)已趨于飽和。2015年，全球三大行業(yè)咨詢機(jī)構(gòu)公布的數(shù)據(jù)均顯示，當(dāng)年集成電路市場(chǎng)增長(zhǎng)率為負(fù)數(shù)，2016年的增長(zhǎng)預(yù)測(cè)雖非負(fù)數(shù)但增長(zhǎng)緩慢。世界半導(dǎo)體貿(mào)易協(xié)會(huì)（WSTS）預(yù)測(cè)，增長(zhǎng)率僅為0.3%。

中國(guó)還在跟跑階段

地方政府建設(shè)集成電路產(chǎn)業(yè)園最大優(yōu)勢(shì)，是能批復(fù)百畝、千畝甚至萬(wàn)畝的園區(qū)用地。但集成電路是一個(gè)國(guó)際化程度很高的產(chǎn)業(yè)，集成電路產(chǎn)業(yè)園建設(shè)要遵循產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)律，不能有認(rèn)識(shí)盲區(qū)。

從產(chǎn)業(yè)規(guī)律看，集成電路產(chǎn)業(yè)是資金密集型、技術(shù)密集型和高端人才密集型的產(chǎn)業(yè)。長(zhǎng)期以來(lái)，它遵循摩爾定律，即當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的元器件數(shù)目，約每隔18?24個(gè)月增加一倍，性能也提升一倍。三維集成電路等新技術(shù)的出現(xiàn)，使集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展路徑出現(xiàn)了一些新變化，但摩爾定律還將是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中低端遵循的主要規(guī)律。

從資金門(mén)檻看，集成電路是以百億元級(jí)為投資門(mén)檻的資金密集型產(chǎn)業(yè)，地方政府若過(guò)于依賴土地財(cái)政，對(duì)“燒錢(qián)”的集成電路產(chǎn)業(yè)園很難進(jìn)行持續(xù)投入。理論上說(shuō)，集成電路是“1塊錢(qián)的芯片可帶動(dòng)50塊錢(qián)的產(chǎn)業(yè)鏈”，其前提是持續(xù)的高額投入并渡過(guò)產(chǎn)業(yè)的爬坡期后才能實(shí)現(xiàn)投入產(chǎn)出的平衡。這是相當(dāng)漫長(zhǎng)且痛苦的過(guò)程，而土地財(cái)政無(wú)法支撐其長(zhǎng)久穩(wěn)定發(fā)展。

從技術(shù)設(shè)備上看，集成電路是技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)，技術(shù)、產(chǎn)業(yè)升級(jí)和產(chǎn)品更新快。目前，高端的集成電路制造設(shè)備和測(cè)試設(shè)備，中國(guó)還嚴(yán)重依賴進(jìn)口，建設(shè)或準(zhǔn)備建設(shè)集成電路產(chǎn)業(yè)園的地方政府，必須要考慮國(guó)外出口管制政策可能帶來(lái)的不利影響。

從高端人才看，有數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)人才缺口逾20萬(wàn)。同時(shí)，在吸引高端人才方面，一些地方尚不具備優(yōu)勢(shì)條件來(lái)吸引人才，自然難以支撐當(dāng)?shù)丶呻娐樊a(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

從全球價(jià)值鏈看，話語(yǔ)權(quán)是集成電路產(chǎn)業(yè)園建設(shè)容易忽視的因素。中國(guó)是全球最大的集成電路市場(chǎng)，但在集成電路全球產(chǎn)業(yè)價(jià)值鏈的話語(yǔ)權(quán)卻不高，大多數(shù)企業(yè)還是生產(chǎn)中低端產(chǎn)品為主，處于全球產(chǎn)業(yè)價(jià)值鏈中低端。

值得一提的是，集成電路是高度國(guó)際化、標(biāo)準(zhǔn)化的產(chǎn)品。國(guó)際上集成電路標(biāo)準(zhǔn)的主要制定者分為軍、民兩類。在民用方面，國(guó)際集成電路標(biāo)準(zhǔn)化工作代表性組織主要有國(guó)際電工委員會(huì)（IEC）、固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)（JEDEC）、國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備和材料協(xié)會(huì)（SEMI）等。

目前，中國(guó)集成電路民用標(biāo)準(zhǔn)共計(jì)68項(xiàng)。其中，國(guó)標(biāo)53項(xiàng)、行標(biāo)15項(xiàng)，68項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)中有34項(xiàng)國(guó)標(biāo)是等同、等效或非等效采用IEC標(biāo)準(zhǔn)或其他國(guó)外先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)。等同采用IEC SC47A俗19項(xiàng)，采標(biāo)率為31%；等效采用IEC SC47A標(biāo)準(zhǔn)7項(xiàng)，采標(biāo)率為11%。另有幾項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)是轉(zhuǎn)化SEMI標(biāo)準(zhǔn)。民品主要采用GB/T19001質(zhì)量管理體系認(rèn)證體系。

簡(jiǎn)言之，在集成電路標(biāo)準(zhǔn)化領(lǐng)域，中國(guó)處于跟跑階段。而集成電路產(chǎn)業(yè)園在全國(guó)遍地開(kāi)花，容易分散寶貴資源，與產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)律和特點(diǎn)不相符。

三手段促發(fā)展

中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)要持續(xù)健康發(fā)展，地方政府須創(chuàng)新發(fā)展思路和措施，以免把集成電路產(chǎn)業(yè)園建成“爛尾樓”，或掛著集成電路產(chǎn)業(yè)園的金字招牌，實(shí)際靠房地產(chǎn)來(lái)維持生存，與國(guó)家集成電路發(fā)展戰(zhàn)略背道而馳。

首先要加強(qiáng)對(duì)各地集成電路產(chǎn)業(yè)園的風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估。要把資金、技術(shù)和人才等常規(guī)因素納入考核范圍，還要將土地財(cái)政、借集成電路金字招牌圈地等風(fēng)險(xiǎn)納入考核范圍，并制訂可量化，可操作的考核細(xì)則。在制定國(guó)家政策出臺(tái)過(guò)程中，要有量化考核的配套措施，將借機(jī)“圈地圈錢(qián)”的沖動(dòng)關(guān)進(jìn)制度的籠子，杜絕各地相互攀比、盲目上馬、低水平重復(fù)，避免出現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)“雷聲大、雨點(diǎn)小”的現(xiàn)象。

其次要支持鼓勵(lì)園區(qū)進(jìn)行產(chǎn)業(yè)質(zhì)量技術(shù)基礎(chǔ)建設(shè)。對(duì)條件較好、具有發(fā)展前景的集成電路產(chǎn)業(yè)園，要支持鼓勵(lì)進(jìn)行產(chǎn)業(yè)質(zhì)量技術(shù)基礎(chǔ)建設(shè)。質(zhì)量技術(shù)基礎(chǔ)由計(jì)量、標(biāo)準(zhǔn)、檢測(cè)和認(rèn)證構(gòu)成。聯(lián)合國(guó)貿(mào)易和發(fā)展組織等多個(gè)機(jī)構(gòu)在2005年就提出了“國(guó)家質(zhì)量基礎(chǔ)”概念，將標(biāo)準(zhǔn)、計(jì)量、檢測(cè)和認(rèn)證列為世界經(jīng)濟(jì)可持續(xù)發(fā)展的重要支柱。而全球高科技領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)已上升為體系與體系之間的競(jìng)爭(zhēng)，質(zhì)量技術(shù)基礎(chǔ)是其中重要內(nèi)容。

同時(shí)，集成電路是全球競(jìng)爭(zhēng)最激烈的高科技領(lǐng)域，質(zhì)量技術(shù)基礎(chǔ)水平高低，將決定未來(lái)集成電路的全球價(jià)值鏈和產(chǎn)業(yè)分工格局，影響集成電路的發(fā)展路徑和生存模式。集成電路產(chǎn)業(yè)園要統(tǒng)籌規(guī)劃，按照全鏈條設(shè)計(jì)、一體化實(shí)施的思路，形成全鏈條的“計(jì)量-標(biāo)準(zhǔn)-檢驗(yàn)檢測(cè)-認(rèn)證認(rèn)可”整體技術(shù)解決方案并示范應(yīng)用。

篇6

【關(guān)鍵詞】集成電路；失效分析；電性分析；物理分析

失效分析就是判斷失效的模式，查找失效原因，弄清失效機(jī)理，并且預(yù)防類似失效情況再次發(fā)生。集成電路失效分析在提高集成電路的可靠性方面有著至關(guān)重要的作用，對(duì)集成電路進(jìn)行失效分析可以促進(jìn)企業(yè)糾正設(shè)計(jì)、實(shí)驗(yàn)和生產(chǎn)過(guò)程中的問(wèn)題，實(shí)施控制和改進(jìn)措施，防止和減少同樣的失效模式和失效機(jī)理重復(fù)出現(xiàn)，預(yù)防同類失效現(xiàn)象再次發(fā)生。本文主要講述集成電路失效分析的技術(shù)和方法。

1.集成電路失效分析步驟

集成電路的失效分析分為四個(gè)步驟。在確認(rèn)失效現(xiàn)象后，第一步是開(kāi)封前檢查。在開(kāi)封前要進(jìn)行的檢查都是無(wú)損失效分析。開(kāi)封前會(huì)進(jìn)行外觀檢查、X光檢查以及掃描聲學(xué)顯微鏡檢查。第二步是打開(kāi)封裝并進(jìn)行鏡檢。第三步是電性分析。電性分析包括缺陷定位技術(shù)、電路分析以及微探針檢測(cè)分析。第四步是物理分析。物理分析包括剝層、聚焦離子束（FIB）、掃描電子顯微鏡（SEM）、透射電子顯微鏡（TEM）以及VC定位技術(shù)。通過(guò)上述分析得出分析結(jié)論，完成分析報(bào)告，將分析報(bào)告交給相關(guān)技術(shù)人員。相關(guān)技術(shù)人員根據(jù)相應(yīng)的缺陷進(jìn)行改進(jìn)，以此來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)集成電路失效分析的意義。

2.無(wú)損失效分析技術(shù)

所謂無(wú)損失效分析，就是在不損害分析樣品，不去掉芯片封裝的情況下，對(duì)該樣品進(jìn)行失效分析。無(wú)損失效分析技術(shù)包括外觀檢查、X射線檢查和掃描聲學(xué)顯微鏡檢查。在外觀檢查中，主要是憑借肉眼檢查是否有明顯的缺陷，如塑脂封裝是否開(kāi)裂，芯片的管腳是否接觸良好等等。X射線檢查則是利用X射線的透視性能對(duì)被測(cè)樣品進(jìn)行X射線照射，樣品的缺陷部分會(huì)吸收X射線，導(dǎo)致X射線照射成像出現(xiàn)異常情況。X射線檢測(cè)主要是檢測(cè)集成電路中引線損壞的問(wèn)題，根據(jù)電子器件的大小及電子器件構(gòu)造情況選擇合適的波長(zhǎng)，這樣就會(huì)得到合適的分辨率。而掃描聲學(xué)顯微鏡檢測(cè)是利用超聲波探測(cè)樣品內(nèi)部的缺陷，主要原理是發(fā)射超聲波到樣品內(nèi)部，然后由樣品內(nèi)部返回。根據(jù)反射時(shí)間以及反射距離可以得到檢測(cè)波形，然后對(duì)比正常樣品的波形找出存在缺陷的位置。這種檢測(cè)方法主要檢測(cè)的是由于集成電路塑封時(shí)水氣或者高溫對(duì)器件的損壞，這種損壞常為裂縫或者是脫層。相對(duì)于有損失效分析方法的容易損壞樣品、遺失樣品信息的缺點(diǎn)，無(wú)損失效分析技術(shù)有其特有的優(yōu)勢(shì)，是集成電路失效分析的重要技術(shù)。[1]

3.有損失效分析技術(shù)

無(wú)損失效分析技術(shù)只能對(duì)集成電路的明顯缺陷做出判斷，而對(duì)于存在于芯片內(nèi)部電路上的缺陷則無(wú)能為力。所以就要進(jìn)行有損失效分析，有損失效分析技術(shù)包括打開(kāi)封裝、電性分析以及物理分析。

3.1 打開(kāi)封裝

有損失效分析首先是對(duì)集成電路進(jìn)行開(kāi)封處理，開(kāi)封處理要做到不損壞芯片內(nèi)部電路。根據(jù)對(duì)集成電路的封裝方式或分析目的不同，采取相應(yīng)的開(kāi)封措施。方法一是全剝離法，此法是將集成電路完全損壞，只留下完整的芯片內(nèi)部電路。缺陷是由于內(nèi)部電路和引線全部被破壞，將無(wú)法進(jìn)行通電動(dòng)態(tài)分析。方法二是局部去除法，此法是利用研磨機(jī)研磨集成電路表面的樹(shù)脂直到芯片。優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)封過(guò)程中不損壞內(nèi)部電路和引線，開(kāi)封后可以進(jìn)行通電動(dòng)態(tài)分析。方法三是全自動(dòng)法，此法是利用硫酸噴射來(lái)達(dá)到局部去除法的效果。[2]

3.2 電性分析

電性分析技術(shù)包括缺陷定位、電路分析以及微探針檢測(cè)分析。

3.2.1 缺陷定位

定位具體失效位置在集成電路失效分析中是一個(gè)重要而困難的項(xiàng)目，只有在對(duì)缺陷的位置有了明確定位后，才能繼而發(fā)現(xiàn)失效機(jī)理以及缺陷的特性。缺陷定位技術(shù)的應(yīng)用是缺陷定位的關(guān)鍵。Emission顯微鏡技術(shù)、OBIRCH（Optical Beam Induce Resistance Change）技術(shù)以及液晶熱點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)為集成電路失效分析提供了快捷準(zhǔn)確的定位方法。

Emission顯微鏡具有非破壞性和快速精準(zhǔn)定位的特性。它使用光子探測(cè)器來(lái)檢測(cè)產(chǎn)生光電效應(yīng)的區(qū)域。由于在硅片上發(fā)生損壞的部位，通常會(huì)發(fā)生不斷增長(zhǎng)的電子-空穴再結(jié)合而產(chǎn)生強(qiáng)烈的光子輻射。因而這些區(qū)域可以通過(guò)Emission顯微鏡技術(shù)檢測(cè)到。OBIRCH技術(shù)是利用激光束感應(yīng)材料電阻率變化的測(cè)試技術(shù)。對(duì)不同材料經(jīng)激光束掃描可測(cè)得不同的材料阻值的變化；對(duì)于同一種材料若材料由于某種因素導(dǎo)致變性后，同樣也可測(cè)得這一種材質(zhì)電阻率的變化。我們就是借助于這一方法來(lái)探測(cè)金屬布線內(nèi)部的那些可靠患。液晶熱點(diǎn)檢測(cè)是一種非常有效的分析手段，主要是利用液晶的特性來(lái)進(jìn)行檢測(cè)。但液晶熱點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)的要求較高，尤其是對(duì)于液晶的選擇，只有恰當(dāng)?shù)囊壕Р拍苁箼z測(cè)工作順利進(jìn)行。液晶熱點(diǎn)檢測(cè)設(shè)備一般由偏振顯微鏡、可以調(diào)節(jié)溫度的樣品臺(tái)以及控制電路構(gòu)成。在由晶體各向異性轉(zhuǎn)變?yōu)榫w各向同性時(shí)所需要的臨界溫度的能量要很小，以此來(lái)提高靈敏度。同時(shí)相變溫度應(yīng)控制在30-90攝氏度的可操作范圍內(nèi)，偏振顯微鏡要在正交偏振光下使用，這樣可以提高液晶相變反應(yīng)的靈敏度。[3]

3.2.2 電路分析

電路分析就是根據(jù)芯片電路的版圖和原理圖，結(jié)合芯片失效現(xiàn)象，逐步縮小缺陷部位的電路范圍，最后是利用微探針檢測(cè)技術(shù)來(lái)定位缺陷器件，從而達(dá)到對(duì)于缺陷器件定位的要求。

3.2.3 微探針檢測(cè)技術(shù)

微探針的作用是測(cè)量?jī)?nèi)部器件上的電參數(shù)值，如工作點(diǎn)電壓、電流、伏安特性曲線等。微探針檢測(cè)技術(shù)一般是伴隨電路分析配合使用的，兩者的結(jié)合可以較快的搜尋失效器件。

3.3 物理分析

物理分析技術(shù)包括聚焦離子束、掃描電子顯微鏡、透射電子顯微鏡以及VC定位技術(shù)。

3.3.1 聚焦離子束（FIB）

聚焦離子束就是利用電透鏡將離子束聚焦成為微小尺寸的顯微切割器，聚焦離子束系統(tǒng)由離子源、離子束聚焦和樣品臺(tái)組成。聚焦離子束的主要應(yīng)用是對(duì)集成電路進(jìn)行剖面，傳統(tǒng)的方法是手工研磨或者是采用硫酸噴劑，這兩種方法雖然可以得到剖面，但是在日益精細(xì)的集成電路中，手工操作速度慢而且失誤率高，所以這兩種方法顯然不適用。聚焦離子束的微細(xì)精準(zhǔn)切割結(jié)合掃描電子顯微鏡高分辨率成像就可以很好的解決剖面問(wèn)題。聚焦離子束對(duì)被剖面的集成電路沒(méi)有限制，定位精度可以達(dá)到0.1um以下，同時(shí)剖面過(guò)程中集成電路受到的應(yīng)力很小，完整地保存了集成電路，使得檢測(cè)結(jié)果更加準(zhǔn)確。

3.3.2 掃描電子顯微鏡（SEM）

掃描電子顯微鏡作為一種高分辨率的微觀儀器，在集成電路的失效分析中有著很好的運(yùn)用。掃描電子顯微鏡是由掃描系統(tǒng)和信號(hào)檢測(cè)放大系統(tǒng)組成，原理是利用聚焦的電子束轟擊器件表面從而產(chǎn)生許多電子信號(hào)，將這些電子信號(hào)放大作為調(diào)制信號(hào)，連接熒光屏便可得到器件表面的圖像。對(duì)于不同層次的信號(hào)采集可以選用不同的電子信號(hào)，那樣所得到的圖像也將不同。

3.3.3 透射電子顯微鏡（TEM）

透射電子顯微鏡的分辨率可以達(dá)到0.1nm，其大大優(yōu)于掃描電子顯微鏡。集成電路的器件尺寸在時(shí)代的發(fā)展中變得越來(lái)越小，運(yùn)用透射電子顯微鏡可以更好的研究產(chǎn)品性能，在集成電路失效分析中，透射電子顯微鏡可以清晰地分析器件缺陷。透射電子顯微鏡將更好地滿足集成電路失效分析對(duì)檢測(cè)工具的解析度要求。

3.3.4 VC定位技術(shù)

前文講述的利用Emission/OBIRCH/液晶技術(shù)來(lái)定位集成電路中的失效器件，在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中熱點(diǎn)的位置往往面積偏大，甚至?xí)x失效點(diǎn)幾十個(gè)微米，這就需要一種更精確的定位技術(shù)，可以把失效范圍進(jìn)一步縮小。VC（Voltage Contrast）定位技術(shù)基于SEM或FIB，可以把失效范圍進(jìn)一步縮小，很好地解決了這一難題。VC定位技術(shù)是利用SEM或者FIB的一次電子束或離子束在樣品表面進(jìn)行掃描。硅片表面不同部位具有不同電勢(shì)，表現(xiàn)出來(lái)不同的明亮對(duì)比度。VC定位技術(shù)可以通過(guò)檢測(cè)不同的明亮對(duì)比度，找出異常亮度的點(diǎn)，從而定位失效點(diǎn)的位置。

4.總結(jié)

我們認(rèn)識(shí)了常用的集成電路失效分析技術(shù)和方法，而更深刻地了解各種技術(shù)的應(yīng)用還需要在實(shí)際的分析工作當(dāng)中積累經(jīng)驗(yàn)，再認(rèn)識(shí)再提高。

參考文獻(xiàn)

[1]劉迪，陸堅(jiān)，梁海蓮，顧曉峰.SOI專用集成電路的靜態(tài)電流監(jiān)測(cè)和失效分析[J].固體電子學(xué)研究與進(jìn)展，2013，2.

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關(guān)鍵詞：數(shù)字集成電路；設(shè)計(jì)；核心工藝

隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，數(shù)字集成電路獲得了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。深入了解數(shù)字集成電路特性，正確分析數(shù)字集成電路在實(shí)驗(yàn)中出現(xiàn)的種種異常現(xiàn)象，對(duì)于提高數(shù)字電子技術(shù)使用效果、加深使用者對(duì)數(shù)字電路理論的理解有著十分重要的作用。而實(shí)現(xiàn)上述目的的最關(guān)鍵部分在于對(duì)數(shù)字集成電路的設(shè)計(jì)相關(guān)內(nèi)容有著較為清晰的理解，本文正是在這種背景下，探討了數(shù)字集成電路的不同設(shè)計(jì)方法以及所采用的核心工藝，以求為理論界與實(shí)踐界更好的認(rèn)識(shí)數(shù)字集成電路提供必要的借鑒與參考。

一、數(shù)字集成電路理論概述

數(shù)的表達(dá)是多種多樣的，如二進(jìn)位、八進(jìn)制、十進(jìn)位、十六進(jìn)位等。電腦中數(shù)字處理是二進(jìn)位，所以一切資料都要先轉(zhuǎn)化為“0”和“1”的組合。在教學(xué)中要對(duì)學(xué)生強(qiáng)調(diào)這里的“0”和“1”不是傳統(tǒng)數(shù)學(xué)中的數(shù)字，而是兩種對(duì)立的狀態(tài)的表達(dá)。數(shù)字集成電路是傳輸“0”和“1”（開(kāi)和關(guān)）兩種狀態(tài)的門(mén)電路，可把來(lái)自一個(gè)輸入端的信息分配給幾個(gè)輸出端，或把幾個(gè)輸入端傳來(lái)的信息加以處理再傳送出去，這個(gè)過(guò)程叫做邏輯運(yùn)算處理，所以又叫邏輯集成電路。在數(shù)字集成電路中電晶體大多是工作在特性曲線的飽和狀態(tài)和截止?fàn)顟B(tài)（邏輯的“0”和“1”）。數(shù)字集成電路又包括著如下三種電路：門(mén)電路，是作為不包含時(shí)間順序的組合電路；觸發(fā)器電路，其能存儲(chǔ)任意的時(shí)間和信息，故在構(gòu)成包含時(shí)間關(guān)系的順序電路時(shí)必不可少，這種電路叫做時(shí)序邏輯電路，例如寄存器、管理器等。觸發(fā)器電路是基本時(shí)序單元電路；半導(dǎo)體記憶體電路，它可以存取二進(jìn)位數(shù)字字信息，記憶體的作用是用來(lái)記住電子電腦運(yùn)算過(guò)程中所需要的一切原始資料、運(yùn)算的指令程式以及中間的結(jié)果，根據(jù)機(jī)器運(yùn)算的需要還能快速地提供出所需的資料和資料。在上課時(shí)，發(fā)現(xiàn)學(xué)生易將組合邏輯電路、時(shí)序邏輯電路混淆，所以教學(xué)中要反復(fù)強(qiáng)調(diào)兩者的的特點(diǎn)，進(jìn)行對(duì)比，使學(xué)生能正確區(qū)分兩種電路。

二、數(shù)字集成電路的設(shè)計(jì)

第一，MOS場(chǎng)效應(yīng)電晶體的設(shè)計(jì)。常用的是N溝MOS管，它是由兩個(gè)相距很近、濃度很高的N十P結(jié)引線后做成的，分別叫做源極“S”和漏極“D”。在源極“S”和漏極“D”之間的矽片表面生長(zhǎng)一薄層二氧化矽（SiO2），在SiO2上復(fù)蓋生長(zhǎng)一層金屬鋁叫柵極“G”（實(shí)際上“G”極是個(gè)MOS二極體）。NMOS集成電路是用得很多的一個(gè)品種。要注意一點(diǎn)是多晶矽柵代替了鋁柵，可以達(dá)到自對(duì)淮（近乎垂直）摻雜，在柵下面的源、漏摻雜區(qū)具有極小橫向的摻雜效應(yīng)，使源、柵漏交迭電容最小，可以提高電路的速度。

第二，CMOS集成電路互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)電晶體的設(shè)計(jì)。CMO是指在同一矽片上使用了P溝道和N溝道兩種MOS電路。這種反相器有其獨(dú)特之處，不論在哪種邏輯狀態(tài)，在VDD和地之間串聯(lián)的兩個(gè)管子中，總有一個(gè)處干非導(dǎo)通狀態(tài)，所以穩(wěn)態(tài)時(shí)的漏電流很小。只在開(kāi)關(guān)過(guò)程中兩個(gè)管子都處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，才有顯著的電流流過(guò)這個(gè)反相器電路。因此，平均功耗很小，在毫微瓦數(shù)量級(jí)，這種電路叫做CMOS電路。含有CMOS電路的集成電路就叫做CMOS集成電路，它是VLSI設(shè)計(jì)中廣泛使用的基本單元。它占地面積很小、功耗又小，正是符合大規(guī)模集成電路的要求，因?yàn)楫?dāng)晶片的元件數(shù)增加時(shí)功耗成為主要的限制因素。CMOS集成電路成為低功耗、大規(guī)模中的一顆明星，它是VLSI設(shè)計(jì)中廣泛使用的基本單元，但它的設(shè)計(jì)和工藝難度也相應(yīng)地提高了許多。CMOS集成電路在P型襯底上先形式一個(gè)以待形成PMOS管用的N型區(qū)域叫做“N井”，在“N井”內(nèi)制造PMOSFET的過(guò)程與前述的NMOS管相同，所以制造CMOS集成電路的工序基本上是制造NMOS集成電路的兩倍。另外還要解決麻煩的門(mén)鎖效應(yīng)（Latch-up）。但它仍是高位數(shù)、高集成度、低功耗微處理器等晶片的首選方案。

第三，二極體的設(shè)計(jì)。集成電路中的二極體均由三極管的eb結(jié)或cb結(jié)構(gòu)成，前者的正向壓降低，幾乎沒(méi)有寄生效應(yīng)，開(kāi)關(guān)時(shí)間短；后者常在需要高擊穿電壓的場(chǎng)合中使用，技術(shù)上又不必單獨(dú)制做，只是在晶體管制成后布線時(shí)按電路功能要求短路某二個(gè)電極，從留用的P-N二邊引線出去和電路連接。課堂教學(xué)中，對(duì)二、三極管的特性及工作原理要做詳細(xì)的復(fù)習(xí)，以便學(xué)生理解。

第四，電阻設(shè)計(jì)。集成電路中的電阻是在制造電晶體基區(qū)層的同時(shí)，向外延層中進(jìn)行擴(kuò)散制成。阻值取決于雜質(zhì)濃度、基區(qū)的寬度和長(zhǎng)度及擴(kuò)散深度。當(dāng)需要更大電容阻值時(shí)，采用溝道電阻；在需要更小電容阻值時(shí)，則采用發(fā)射區(qū)擴(kuò)散時(shí)形成的N十區(qū)電阻。

這里電阻與學(xué)生之前學(xué)習(xí)的電阻進(jìn)行比較，利于學(xué)生理解。

第五，電容設(shè)計(jì)。集成電路中的電容器有兩種，一種是P-N結(jié)電容，它是利用三極管eb結(jié)在反向偏壓下的結(jié)電容，電容量不是常數(shù)，它的大小與所加偏壓有關(guān)，且有極性；另一種是MOS電容，電容值是固定，與偏壓無(wú)關(guān)。一般用重?fù)降膮^(qū)域作為一個(gè)板極，中間的氧化物層作為介質(zhì)層，氧化物層的頂層金屬作為另一個(gè)板極。但是，集成電路設(shè)計(jì)中應(yīng)盡量避免使用電容，數(shù)字電路一般都采用沒(méi)有電容的電路。

三、數(shù)字集成電路的核心工藝

首先是薄圓晶片的制備技術(shù)。分別在半導(dǎo)體專用切片機(jī)、磨片機(jī)、拋光機(jī)上加工出厚度約為400um、表面光亮如鏡、沒(méi)有傷痕、沒(méi)有缺陷的晶片。

其次是外延工藝技術(shù)。為了提高電晶體集電結(jié)的擊穿電壓，要求高電阻率材料。但為了提高電晶體工作速度，要求低電阻率材料，為此在低阻的襯底材料上外延生長(zhǎng)一層高阻的單晶層，這叫做外延技術(shù)。

第三是隔離工藝技術(shù)。因?yàn)閿?shù)字集成電路中各組件是做在同一半導(dǎo)體襯底片，各組件所處的電位也不同，要使做有源元件的小區(qū)域（電晶體）彼此相隔離開(kāi)，這種實(shí)現(xiàn)彼此隔離的技術(shù)叫做隔離技術(shù)。正是由于它的出現(xiàn)，使分立元件發(fā)展到數(shù)字集成電路成為可能?，F(xiàn)在常用的有介質(zhì)隔離（將SiO2生長(zhǎng)在需要隔離的部位）和P-N 結(jié)隔離兩種方法。P-N結(jié)隔離是在隔離部位形成兩個(gè)背對(duì)背的P-N結(jié)；外延結(jié)構(gòu)P-N結(jié)隔離是在P 型襯底表面的n型外延層上進(jìn)行氧化、光刻、擴(kuò)散等工藝，并將硼雜質(zhì)擴(kuò)散到特定部分，直到擴(kuò)穿外延層和P 型襯底相接。外加反向電壓使外延n型層成為一個(gè)個(gè)相互隔離的小島，然后再在這個(gè)n型外延小島區(qū)域上分別制造電晶體或其他元件。

最后是氧化工藝技術(shù)。半導(dǎo)體器件性能與半導(dǎo)體表面有很大關(guān)系，所以必須對(duì)器件表面采用有效保護(hù)措施。二氧化矽被選作為保護(hù)鈍化層，一來(lái)它易于選擇腐蝕掉；二來(lái)可以在擴(kuò)散之后在同爐內(nèi)馬上通氧進(jìn)行氧化；三來(lái)可以作為選擇摻雜的掩蔽物；再來(lái)它常被用來(lái)作導(dǎo)電層之間的絕緣層。當(dāng)然用作鈍化的介質(zhì)還有氮化矽薄膜，這里不多介紹。各種薄膜不僅要執(zhí)行其本身的預(yù)定功能，也要和后續(xù)的全部工藝相相容。即鈍化薄膜要能承受所要求的化學(xué)處理及加熱處理，而其結(jié)構(gòu)還保持穩(wěn)定。從上面工藝流程可以看到，每一步光刻之前都有氧化工序，圖形加工只能在氧化層上進(jìn)行。

設(shè)計(jì)是一項(xiàng)難度較大的工作，在設(shè)計(jì)中要考慮許多細(xì)節(jié)的東西，實(shí)踐與理論之間有一定的差距，對(duì)于我們技術(shù)學(xué)校的學(xué)生而言，可以讓他們做一些簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)，自己動(dòng)手搭建電路并做測(cè)試，在做中發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，解決問(wèn)題，從而加深對(duì)知識(shí)的理解。

（作者單位：福建省第二高級(jí)技工學(xué)校）

參考文獻(xiàn)：

[1]桑紅石，張志，袁雅婧，陳鵬.數(shù)字集成電路物理設(shè)計(jì)階段的低功耗技術(shù)[J].微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)，2011年第4期.

篇8

1 MPW服務(wù)概述

1.1 什么是MPW服務(wù)

在集成電路開(kāi)發(fā)階段，為了檢驗(yàn)開(kāi)發(fā)是否成功，必須進(jìn)行工程流片。通常流片時(shí)至少需要6~12片晶圓片，制造出的芯片達(dá)上千片，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出設(shè)計(jì)檢驗(yàn)要求；一旦設(shè)計(jì)存在問(wèn)題，就會(huì)造成芯片大量報(bào)廢，而且一次流片費(fèi)用也不是中小企業(yè)和研究單位所能承受的。多項(xiàng)目晶圓MPW（Multi-Project Wafer）就是將多個(gè)相同工藝的集成電路設(shè)計(jì)在同一個(gè)晶圓片上流片，流片后每個(gè)設(shè)計(jì)項(xiàng)目可獲得數(shù)十個(gè)芯片樣品，既能滿足實(shí)驗(yàn)需要，所需實(shí)驗(yàn)費(fèi)用也由參與MPW流片的所有項(xiàng)目分?jǐn)偅蟠蠼档土酥行∑髽I(yè)介入集成電路設(shè)計(jì)的門(mén)檻。

1.2 MPW的需求與背景

上世紀(jì)80年代后，集成電路加工技術(shù)飛速發(fā)展，集成電路設(shè)計(jì)成了IC產(chǎn)業(yè)的瓶頸，迫切要求集成電路設(shè)計(jì)跟上加工技術(shù)；隨著集成電路應(yīng)用的普及，集成知識(shí)越來(lái)越復(fù)雜，并向系統(tǒng)靠近，迫切要求系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員參與集成電路設(shè)計(jì)；為了全面提升電子產(chǎn)品的品質(zhì)與縮短開(kāi)發(fā)周期，許多整機(jī)公司和研究機(jī)構(gòu)紛紛從事集成電路設(shè)計(jì)。因此，大面積、多角度培養(yǎng)集成電路設(shè)計(jì)人才迫在眉睫，而集成電路設(shè)計(jì)的巨額費(fèi)用成為重要制約因素。

實(shí)施MPW技術(shù)服務(wù)必須有強(qiáng)有力的服務(wù)機(jī)構(gòu)、設(shè)計(jì)部門(mén)和IC生產(chǎn)線。

1.3 MPW服務(wù)機(jī)構(gòu)的任務(wù)

① 建立IC設(shè)計(jì)與電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)之間的簡(jiǎn)便接口，以便于系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠直接使用各種先進(jìn)的集成電路加工技術(shù)實(shí)現(xiàn)其設(shè)計(jì)構(gòu)想，并以最快的速度轉(zhuǎn)化成實(shí)際樣品。

② 組織多項(xiàng)目流片，大幅度減少IC設(shè)計(jì)、加工費(fèi)用。

③ 不斷擴(kuò)大服務(wù)范圍：從提供設(shè)計(jì)環(huán)境、承擔(dān)部分設(shè)計(jì)，到承擔(dān)全部設(shè)計(jì)、樣片生產(chǎn)，以幫助集成電路用戶或開(kāi)發(fā)方完成設(shè)計(jì)項(xiàng)目。

④ 幫助中小企業(yè)實(shí)現(xiàn)小批量集成電路的委托設(shè)計(jì)、生產(chǎn)任務(wù)。

⑤ 支持與促進(jìn)學(xué)校集成電路的設(shè)計(jì)與人才培養(yǎng)。

1.4 MPW技術(shù)簡(jiǎn)介

（1）項(xiàng)目啟動(dòng)階段

MPW組織者首先根據(jù)市場(chǎng)需要，確定每次流片的技術(shù)參數(shù)、IC工藝參數(shù)、電路類型、芯片尺寸等。設(shè)計(jì)時(shí)的工藝文件：工藝文件由MPW組織者向Foundry（代工廠）索取，然后再由設(shè)計(jì)單位向MPW組織者索取。提交工藝文件時(shí)，雙方都要簽署保密協(xié)議。

（2）IP核的使用

參加MPW的項(xiàng)目可使用組織者或Foundry提供的IP核，其中軟核在設(shè)計(jì)時(shí)提供，硬核在數(shù)據(jù)匯總到MPW組織者或Foundry處理后再進(jìn)行嵌入。

（3）設(shè)計(jì)驗(yàn)證

所有參加MPW的項(xiàng)目匯總到組織者后，由組織者負(fù)責(zé)對(duì)設(shè)計(jì)的再次驗(yàn)證。驗(yàn)證成功后，由MPW組織者將所有項(xiàng)目版圖綜合成最終版圖交掩膜版制版廠，開(kāi)始流片過(guò)程。

（4）流片收費(fèi)

每個(gè)項(xiàng)目芯片價(jià)格按所占Block的大小而非芯片實(shí)際大小計(jì)算。流片完成后，MPW組織者向每個(gè)項(xiàng)目提供10~20片裸片。需封裝、測(cè)試則另收費(fèi)。

2 國(guó)外MPW公共技術(shù)平臺(tái)與公共技術(shù)服務(wù)狀況

（1）MPW服務(wù)機(jī)構(gòu)創(chuàng)意

1980年，美國(guó)防部軍用先進(jìn)研究項(xiàng)目管理局(DARPA)建立了非贏利的MPW加工服務(wù)機(jī)構(gòu)，即MOS電路設(shè)計(jì)的實(shí)現(xiàn)服務(wù)機(jī)構(gòu)MOSIS（MOS Implementation System）服務(wù)機(jī)構(gòu)，為其下屬研究部門(mén)所設(shè)計(jì)的各種集成電路尋找一種費(fèi)用低廉的樣品制作途徑。MPW服務(wù)機(jī)構(gòu)與方式的思路應(yīng)運(yùn)而生。加工服務(wù)內(nèi)容：從初期的晶圓加工到后續(xù)增加的封裝、測(cè)試、芯片設(shè)計(jì)。

（2）MOSIS機(jī)構(gòu)的發(fā)展

考慮到MPW服務(wù)的技術(shù)性，1981年MOSIS委托南加州大學(xué)管理。在IC產(chǎn)業(yè)劇烈的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境下，培養(yǎng)集成電路設(shè)計(jì)人才迫在眉睫。1985年，美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金會(huì)NSF支持MOSIS，并和DARPA達(dá)成協(xié)議，將MPW服務(wù)對(duì)象擴(kuò)大到各大學(xué)的VLSI設(shè)計(jì)的教學(xué)活動(dòng);1986年以后在產(chǎn)業(yè)界的支持下，將MPW服務(wù)擴(kuò)大到產(chǎn)業(yè)部門(mén)尤其是中小型IC設(shè)計(jì)企業(yè)；1995年以后，MOSIS開(kāi)始為國(guó)外的大學(xué)、研究機(jī)構(gòu)以及商業(yè)部門(mén)服務(wù)。服務(wù)收費(fèi)：國(guó)內(nèi)大學(xué)教學(xué)服務(wù)免費(fèi)，公司服務(wù)收費(fèi)，國(guó)外大學(xué)優(yōu)惠條件收費(fèi)，國(guó)外公司收費(fèi)較國(guó)內(nèi)公司要高。

（3）其它國(guó)家的MPW服務(wù)機(jī)構(gòu)

法國(guó)：1981年建立了CMP(Circuit Multi Projects)服務(wù)機(jī)構(gòu)，發(fā)展迅速，規(guī)模與MOSIS接近，對(duì)國(guó)外服務(wù)也十分熱心。1981年至今，已為60個(gè)國(guó)家的400個(gè)研究機(jī)構(gòu)和130家大學(xué)提供了服務(wù)，超過(guò)2500個(gè)課題參加了流片。1990年以前，CMP的服務(wù)對(duì)象主要是大學(xué)與研究所，1990年開(kāi)始為中小企業(yè)提供小批量生產(chǎn)的MPW服務(wù)。由于小批量客戶的不斷增加，2001年的利潤(rùn)比2000年增加了30%。

歐盟：歐盟于1995年建立了有許多設(shè)計(jì)公司加盟的EUROPRACTICE的MPW服務(wù)機(jī)構(gòu)，旨在向歐洲各公司提供先進(jìn)的ASIC、多芯片模塊（MCM）和SoC解決方案，以提高它們?cè)谌蚴袌?chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)地位。EUROPRACTICE采取了"一步到位解決方案"的服務(wù)方式，用戶只要與任何一家加盟EUROPRACTICE的設(shè)計(jì)公司聯(lián)系，就可以由該公司負(fù)責(zé)與CAD廠商、單元庫(kù)公司、代工廠、封裝公司和測(cè)試公司聯(lián)系處理全部服務(wù)事項(xiàng)。

加拿大：1984年成立了政府與工業(yè)界支持的非贏利性MPW服務(wù)機(jī)構(gòu)CMC(Canadian Microelectronics Corporation)聯(lián)盟，是加拿大微電子戰(zhàn)略聯(lián)盟(Strategic Microelectronics Consortium)的一部分。目前，CMC的成員包括44所大學(xué)和25家企業(yè)。CMC的服務(wù)包括：提供設(shè)計(jì)方法和其它產(chǎn)品服務(wù)，提高成員的設(shè)計(jì)水平；提供先進(jìn)的制造工藝，確保客戶的設(shè)計(jì)質(zhì)量；提供技術(shù)及工藝的培訓(xùn)。

日本：1996年依托東京大學(xué)建立了VLSI設(shè)計(jì)與教育中心VDEC(VLSI Design and Education Center)，開(kāi)展MPC（Multi-Project Chip）服務(wù)。VDEC的目標(biāo)是不斷提高日本高校VLSI設(shè)計(jì)課程教育水平和集成電路制造的支持力度。2001年，共有43所大學(xué)的99位教授或研究小組通過(guò)VDEC的服務(wù)，完成了335個(gè)芯片的設(shè)計(jì)與制造。VDEC與主要EDA供應(yīng)商都簽有協(xié)議，每個(gè)EDA工具都擁有500~1000個(gè)license；需要時(shí)，這些license都可向最終用戶開(kāi)放。VDEC還對(duì)外提供第三方IP的使用，同時(shí)，VDEC本身也在從事IP研究。

韓國(guó)：1995年，在韓國(guó)先進(jìn)科學(xué)技術(shù)研究院(Korea Advanced Institute of Science and Technology)內(nèi)建立了集成電路設(shè)計(jì)教育中心IDEC(IC Design Education Center)。

可以看出，世界各先進(jìn)國(guó)家都認(rèn)識(shí)到IC產(chǎn)業(yè)在未來(lái)世界經(jīng)濟(jì)發(fā)展中的重要地位，在IC加工技術(shù)發(fā)展到一定階段后，抓住了IC產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的關(guān)鍵；在IC應(yīng)用層面上普及IC設(shè)計(jì)技術(shù)和大力降低IC設(shè)計(jì)、制造費(fèi)用，并及時(shí)建立有效的MPW服務(wù)機(jī)構(gòu)，使IC產(chǎn)業(yè)進(jìn)入了飛速發(fā)展期。縱觀各國(guó)MPW服務(wù)機(jī)構(gòu)不盡相同，但都具有以下特點(diǎn)：

① 政府與產(chǎn)業(yè)界支持的非贏利機(jī)構(gòu)；

② 開(kāi)放性機(jī)構(gòu)，主要為高等學(xué)校、研究機(jī)構(gòu)、中小企業(yè)服務(wù)；

③ 提供先進(jìn)的IC設(shè)計(jì)與制造技術(shù)，保證設(shè)計(jì)出的芯片具有先進(jìn)性與商業(yè)價(jià)值；

④ 提供IC設(shè)計(jì)與制造技術(shù)的全程服務(wù)。

3 我國(guó)MPW現(xiàn)狀

我國(guó)大陸地區(qū)從上世紀(jì)80年代后半期開(kāi)始進(jìn)入MPW加工服務(wù)，從早期利用國(guó)外的MPW加工服務(wù)機(jī)構(gòu)到民間微電子設(shè)計(jì)、加工的相關(guān)企業(yè)、學(xué)校聯(lián)合的MPW服務(wù)，到近期政府、企業(yè)介入后的MPW公共服務(wù)體系的建設(shè)，開(kāi)始顯露了較好的發(fā)展勢(shì)頭。

3.1 與國(guó)外MPW加工服務(wù)機(jī)構(gòu)合作

1986年，北京華大與武漢郵科院合作利用德國(guó)的服務(wù)機(jī)構(gòu)，免費(fèi)進(jìn)行了光纖二、三次群芯片組的樣品制作，使武漢郵科院的通信產(chǎn)品得以更新?lián)Q代。此后，上海交大、復(fù)旦、南京東南大學(xué)、北京大學(xué)、清華大學(xué)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)都從國(guó)外的MPW加工服務(wù)中獲益匪淺。東南大學(xué)利用美國(guó)MOSIS機(jī)構(gòu)的MPW加工服務(wù)，采用0.25和0.35 ìm的模數(shù)混合電路工藝進(jìn)行了射頻和高速電路的實(shí)驗(yàn)流片。

在與國(guó)外MPW服務(wù)機(jī)構(gòu)的合作方面，東南大學(xué)射頻與光電子集成電路研究所取得顯著成果。建所初期就與美國(guó)MOSIS、法國(guó)CMP建立合作關(guān)系。1998年以境外教育機(jī)構(gòu)身份正式加入MOSIS，同年，利用MOSIS提供的臺(tái)灣半導(dǎo)體公司的CMOS工藝設(shè)計(jì)規(guī)則、模型及設(shè)計(jì)資料開(kāi)發(fā)了基于Cadence軟件設(shè)計(jì)環(huán)境的高速、射頻集成電路，完成了5批0.35ìm、3批0.25ìm CMOS工藝共40多個(gè)電路的設(shè)計(jì)與制造，取得了許多國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、世界先進(jìn)水平成果。2000年?yáng)|南大學(xué)射光所還與法國(guó)的CMP組織正式簽訂了合作協(xié)議。

為了推動(dòng)大陸的MPW服務(wù)，射光所從2000年開(kāi)始利用美國(guó)MOSIS機(jī)構(gòu)為國(guó)內(nèi)客戶服務(wù)，建立了MPW服務(wù)網(wǎng)頁(yè)，向公眾及時(shí)流片時(shí)間及加入MPW的流程和手續(xù)。2001年，射光所通過(guò)MOSIS利用TSMC的0.35和0.25ìm CMOS工藝為清華大學(xué)、信息產(chǎn)業(yè)部第13所、南通工學(xué)院完成了3批10多個(gè)芯片的設(shè)計(jì)制造。目前，10多個(gè)高校、研究機(jī)構(gòu)、企業(yè)成為射光所MPW成員。

3.2 高校、企業(yè)、研究機(jī)構(gòu)合作實(shí)現(xiàn)MPW服務(wù)

90年代，上海復(fù)旦大學(xué)開(kāi)始著手建立國(guó)內(nèi)MPW加工服務(wù)機(jī)構(gòu)；1995年，無(wú)錫上華微電子公司開(kāi)始承擔(dān)MPW加工服務(wù)，并于1996年組織了第一次MPW流片；1997年至1999年在上海市政府的支持下，連續(xù)組織了6次MPW流片，參加項(xiàng)目有82個(gè)；2000年受國(guó)家火炬計(jì)劃、上海集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)化基地、上海市科委及上海集成電路設(shè)計(jì)研究中心委托又組織了3次35個(gè)項(xiàng)目的MPW流片。清華大學(xué)與無(wú)錫上華合作，針對(duì)上華工藝，開(kāi)發(fā)了0.6ìm單元庫(kù)，開(kāi)始了MPW加工服務(wù)，并將校內(nèi)的工藝線用于MPW加工服務(wù)。近年來(lái)，在863 VLSI重大項(xiàng)目規(guī)劃指引下，在上海、北京、深圳、杭州等地陸續(xù)成立了集成電路產(chǎn)業(yè)化基地，進(jìn)一步推動(dòng)了MPW加工服務(wù)的開(kāi)展。清華大學(xué)從2000年開(kāi)始，利用上華0.6ìm CMOS工藝為本校以及浙江大學(xué)、合肥工業(yè)大學(xué)組織了4次MPW流片，總共實(shí)現(xiàn)了106項(xiàng)設(shè)計(jì)；上海集成電路設(shè)計(jì)研究中心與復(fù)旦大學(xué)，于2001年利用上華1.0和0.6ìm CMOS工藝和TSMC的0.3ìm CMOS工藝，為產(chǎn)業(yè)界、教育界進(jìn)行了8次MPW流片，實(shí)現(xiàn)了109個(gè)設(shè)計(jì)項(xiàng)目。

隨著中國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)飛速發(fā)展，將會(huì)在更多的先進(jìn)工藝生產(chǎn)線為MPW提供加工服務(wù)，許多境外的半導(dǎo)體公司也在積極支持我國(guó)的MPW加工服務(wù)。隨著上海、北京多條具有國(guó)際先進(jìn)水平的深亞微米CMOS工藝線的建成，國(guó)家級(jí)的MPW計(jì)劃會(huì)得到飛速發(fā)展。

3.3 臺(tái)灣地區(qū)的MPW加工服務(wù)

1992年在臺(tái)灣科學(xué)委員會(huì)的支持下，成立了集成電路設(shè)計(jì)和系統(tǒng)設(shè)計(jì)研究中心CIC。其目的是對(duì)大專院校的集成電路/系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供MPW服務(wù)，對(duì)集成電路/系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員進(jìn)行培訓(xùn)，并推動(dòng)產(chǎn)業(yè)界與學(xué)院的合作研究項(xiàng)目。到目前為止，CIC已為超過(guò)100家的臺(tái)灣院校提供了MPW服務(wù)，總計(jì)有3909個(gè)IC項(xiàng)目流片成功，其中，76家大專院校有3423項(xiàng)，40多家研究所和產(chǎn)業(yè)界有486項(xiàng)。在EDA工具方面，有多家的IC/SYSTEM設(shè)計(jì)工具已運(yùn)用在MPW的設(shè)計(jì)流程中。到目前為止，已有91家大專院校安裝了14 100多個(gè)EDA工具的許可證，另外，0.6ìm 1P3M CMOS、0.35ìm1P4M CMOS、0.25 ìm1P5M CMOS和0.18ìm1P6M CMOS的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)已開(kāi)始使用。除了常規(guī)MPW服務(wù)，CIC還向大專院校提供培訓(xùn)：2001年有7000人次，每年還有2次為產(chǎn)業(yè)界提供的高級(jí)培訓(xùn)。

臺(tái)灣積體電路制造股份公司（臺(tái)積公司：TSMC）從1998年提供MPW服務(wù)，成為全球IC設(shè)計(jì)的重要伙伴。2000年以來(lái)臺(tái)積公司提供了100多次MPW服務(wù)，并完成了1000個(gè)以上IC芯片項(xiàng)目的研制。目前，臺(tái)積公司已分別與上海集成電路設(shè)計(jì)研究中心、北京大學(xué)微處理器研究開(kāi)發(fā)中心合作，提供MPW服務(wù)。

4 我國(guó)大陸地區(qū)MPW服務(wù)基地的建設(shè)

由于大陸地區(qū)原有微電子研究機(jī)構(gòu)的歷史配置，在進(jìn)入基于MPW服務(wù)方式后，這些研究機(jī)構(gòu)先后都介入了IC設(shè)計(jì)的MPW服務(wù)領(lǐng)域，并開(kāi)始建立相應(yīng)的MPW服務(wù)基地。

4.1 上海復(fù)旦大學(xué)與集成電路設(shè)計(jì)研究中心（ICC）

上海復(fù)旦大學(xué)專用集成電路與系統(tǒng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室在上海市政府支持下，于1997年成立了"上海集成電路設(shè)計(jì)教育服務(wù)中心"。主要任務(wù)是IC設(shè)計(jì)人才培養(yǎng)和組織MPW服務(wù)。1997~1999年組織了6次MPW流片。2000~2001年上海市科委設(shè)立"上海多項(xiàng)目晶圓支援計(jì)劃"，把開(kāi)展MPW列為國(guó)家集成電路設(shè)計(jì)上海產(chǎn)業(yè)化基地的重點(diǎn)工作。在市科委組織下，復(fù)旦大學(xué)專用集成電路與系統(tǒng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室與ICC實(shí)現(xiàn)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，面向全國(guó)，于2000年組織了3次、2001年組織了5次MPW流片。ICC于2001年底正式與TSMC達(dá)成合作協(xié)議，開(kāi)展0.35ìm MPW流片服務(wù)。2002年與中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司（SMIC）合作推出本土0.35ìm及以下工藝的MPW流片服務(wù)。從ICC設(shè)立的網(wǎng)站(icc.sh.cn) 可了解MPW最新動(dòng)態(tài)和幾乎所有的MPW服務(wù)信息。

4.2 南京東南大學(xué)射頻與光電子集成電路研究所

1998年，南京東南大學(xué)射光所以境外教育機(jī)構(gòu)的身份正式加入美國(guó)MOSIS，并簽訂有關(guān)協(xié)議，由此可獲得多種工藝流片服務(wù)。2000年5月與法國(guó)的CMP簽訂了合作協(xié)議。1999年底受教育部委托，舉辦了"無(wú)生產(chǎn)線集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)"高級(jí)研討班。從2000年開(kāi)始建立了MPW服務(wù)網(wǎng)頁(yè)，通過(guò)網(wǎng)頁(yè)向公眾公布流片時(shí)間及加入MPW的流程和手續(xù)，目前，高速數(shù)字射頻和光電芯片測(cè)試系統(tǒng)已開(kāi)始運(yùn)行，準(zhǔn)備為全國(guó)超高速數(shù)字、射頻和光電芯片研究提供技術(shù)支持，有許多高校、研究單位、公司已成為射光所MPW成員。

4.3 國(guó)家集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)化（北京）基地MPW加工服務(wù)中心

在北京市政府的支持與直接參與下建立了"北京集成電路設(shè)計(jì)園有限責(zé)任公司"。正在建設(shè)中的國(guó)家集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)化（北京）基地MPW加工服務(wù)中心由北京華興微電子有限公司為承擔(dān)單位，聯(lián)合清華大學(xué)、北京大學(xué)共同建設(shè)。

4.4 北方微電子產(chǎn)業(yè)基地TSMC MPW技術(shù)服務(wù)中心

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關(guān)鍵詞：集成電路工程；專業(yè)學(xué)位研究生；培養(yǎng)實(shí)踐

中圖分類號(hào)：G643 文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A 文章編號(hào)：1674-9324（2016）29-0221-02

一、引言

2000年6月，國(guó)務(wù)院了《鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》（國(guó)發(fā)18號(hào)文），并陸續(xù)推出了一系列促進(jìn)IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展的優(yōu)惠政策和措施。國(guó)家科技部在863計(jì)劃中安排了集成電路設(shè)計(jì)重大專項(xiàng)。在863計(jì)劃集成電路設(shè)計(jì)重大專項(xiàng)的實(shí)施和帶動(dòng)下，北京、上海、無(wú)錫、杭州、深圳、西安、成都等七個(gè)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)化基地的建設(shè)取得了重要進(jìn)展。與此同時(shí)，為了適應(yīng)我國(guó)集成電路發(fā)展對(duì)高層次專門(mén)人才的大規(guī)模需要，改善工科學(xué)位比較單一的狀況，經(jīng)國(guó)務(wù)院學(xué)位委員會(huì)批準(zhǔn)，在我國(guó)設(shè)置集成電路工程專業(yè)學(xué)位研究生的培養(yǎng)，培養(yǎng)了一批“用得上”的工程技術(shù)人才。集成電路工程專業(yè)學(xué)位研究生自設(shè)置以來(lái)，取得了蓬勃的發(fā)展，受到用人單位的肯定和好評(píng)。由于其生源廣泛、數(shù)量巨大，培養(yǎng)方法和模式更需要一定的創(chuàng)新性。近年來(lái)，在集成電路工程專業(yè)學(xué)位研究生培養(yǎng)過(guò)程中，經(jīng)過(guò)多年的辦學(xué)積累，探討了一些辦學(xué)和培養(yǎng)集成電路工程專業(yè)學(xué)位研究生的經(jīng)驗(yàn)。

二、專業(yè)學(xué)位研究生培養(yǎng)過(guò)程中的關(guān)鍵事項(xiàng)

1.優(yōu)選導(dǎo)師，確保培養(yǎng)質(zhì)量。集成電路工程專業(yè)學(xué)位研究生教育形式較新，最初專業(yè)學(xué)位研究生的培養(yǎng)在眾多地方借鑒了學(xué)術(shù)型研究生的辦學(xué)經(jīng)驗(yàn)，目前很多學(xué)者認(rèn)為，只要能夠勝任學(xué)術(shù)型學(xué)歷研究生教育的導(dǎo)師就能勝任專業(yè)學(xué)位教育。這恰恰忽視了專業(yè)學(xué)位的知識(shí)背景和面向的行業(yè)領(lǐng)域。專業(yè)學(xué)位研究生教育規(guī)律與學(xué)術(shù)型研究生存在相當(dāng)大的差異，首先，兩者專業(yè)基礎(chǔ)及學(xué)術(shù)背景不一樣，專業(yè)學(xué)位研究生的系統(tǒng)性方面不如學(xué)術(shù)型研究生。其次，兩者的治學(xué)環(huán)境不同，專業(yè)學(xué)位研究生與實(shí)際工程應(yīng)用相結(jié)合。根據(jù)專業(yè)學(xué)位研究生特點(diǎn)有針對(duì)性地開(kāi)展培養(yǎng)，應(yīng)該選拔具有較強(qiáng)工程背景的教師進(jìn)行指導(dǎo)。指導(dǎo)教師在進(jìn)行指導(dǎo)時(shí)，應(yīng)與學(xué)術(shù)型研究生指導(dǎo)工作有所不同，應(yīng)更加注重專業(yè)學(xué)位研究生工程實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的培養(yǎng)。而且在學(xué)生的課題研究中，指導(dǎo)教師與學(xué)生多溝通，將自身融入到學(xué)生的實(shí)踐研究中，帶領(lǐng)學(xué)生參與技術(shù)上的創(chuàng)新和解決實(shí)際工程技術(shù)難題，這樣才能確保學(xué)生的培養(yǎng)質(zhì)量。

2.做到課堂理論與工程實(shí)際相結(jié)合。專業(yè)學(xué)位研究生培養(yǎng)的多年實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)告訴我們，在指導(dǎo)過(guò)程中必須注重理論與工程實(shí)際應(yīng)用結(jié)合，抽象概念與實(shí)際應(yīng)用結(jié)合，激發(fā)學(xué)生學(xué)習(xí)興趣，使理論易于理解和掌握。因此，教師要了解專業(yè)學(xué)位研究生的本科學(xué)歷背景、知識(shí)結(jié)構(gòu)和現(xiàn)在的工程方向等，在此基礎(chǔ)上，做到課程理論聯(lián)系工程實(shí)際，為專業(yè)學(xué)位研究生培養(yǎng)工作打下良好的基礎(chǔ)。為了滿足微電子領(lǐng)域內(nèi)不同行業(yè)的需求，在多年的專業(yè)學(xué)位研究生培養(yǎng)中進(jìn)行了積極的探索。首先，學(xué)生可以根據(jù)研究方向，在教師的指導(dǎo)下進(jìn)行專題理論課程的選擇。例如，進(jìn)行SOC設(shè)計(jì)的可以選擇《SOC及IP技術(shù)講座》課程，研究無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)的可以選擇《無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)技術(shù)》或《計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)與通信》專題講座，研究空間通信的選擇《深空通信技術(shù)專題》等等。有針對(duì)性地，使學(xué)生不是單純盲目的學(xué)習(xí)，這樣的培養(yǎng)才能做到理論與工程實(shí)踐真正結(jié)合。實(shí)踐結(jié)果表明，那些課堂上刻苦學(xué)習(xí)，能夠?qū)⒗碚撚糜趯?shí)踐并努力鉆研的學(xué)生，將有更好的培養(yǎng)效果和未來(lái)發(fā)展空間。

3.學(xué)位論文選題恰當(dāng)，工程背景好。選題重要性要放在首位，要求“論文選題來(lái)自于工程實(shí)踐，工程背景明確，應(yīng)用性強(qiáng)”，有的放矢，結(jié)合工程實(shí)際問(wèn)題才是最好的選題。從現(xiàn)實(shí)意義上講，專業(yè)學(xué)位論文的選題是發(fā)現(xiàn)工程問(wèn)題并確認(rèn)研究方向。當(dāng)前有些專業(yè)學(xué)位論文質(zhì)量不高、沒(méi)有創(chuàng)新性，一個(gè)重要原因就是選題不恰當(dāng)。因此，在選題時(shí)，學(xué)生應(yīng)急科研工作之所急，通過(guò)論文工作，使自己既能解決工程實(shí)際問(wèn)題，又能提高科研工作能力。

集成電路工程專業(yè)學(xué)位論文的選題與學(xué)術(shù)型研究生的選題不同，其選題應(yīng)來(lái)源于工程實(shí)踐，應(yīng)有明確的應(yīng)用價(jià)值，其可以是一個(gè)完整的工程項(xiàng)目、技術(shù)改造或技術(shù)攻關(guān)專題，也可以是新工藝、新設(shè)備、新產(chǎn)品的研制與開(kāi)發(fā)。論文是否合格不僅看其理論水平的高低，還要看是否有實(shí)際的應(yīng)用價(jià)值。因此，由于論文選題時(shí)，應(yīng)該從以下幾點(diǎn)之一進(jìn)行把握。①研究性，是否在工程實(shí)際中有技術(shù)改進(jìn)和提高。如果是結(jié)合重大工程實(shí)際課題，在技術(shù)上的創(chuàng)新將具有研究性。②創(chuàng)造性，是否在工程領(lǐng)域中有所突破和有所創(chuàng)新，如果一般通過(guò)查新，能夠申請(qǐng)發(fā)明專利的都具有創(chuàng)造性。③實(shí)用性，是否能解決生產(chǎn)實(shí)際中的問(wèn)題。

三、集成電路工程專業(yè)學(xué)位研究生培養(yǎng)過(guò)程中的方法和步驟

專業(yè)學(xué)位研究生的培養(yǎng)過(guò)程包括課程學(xué)習(xí)、題目確定、開(kāi)題報(bào)告、中期檢查、學(xué)位論文撰寫(xiě)和論文答辯等環(huán)節(jié)。我校專業(yè)學(xué)位研究生的培養(yǎng)年限一般為二年，原則上用0.75-1學(xué)年完成課程學(xué)習(xí)，用1-1.25學(xué)年完成碩士學(xué)位論文。這些環(huán)節(jié)是一個(gè)有機(jī)的整體，需要合理安排，搞好各個(gè)環(huán)節(jié)的鏈接，進(jìn)行一體化考慮。只有嚴(yán)格要求，才能夠保證專業(yè)學(xué)位研究生在兩年的時(shí)間內(nèi)保質(zhì)保量的達(dá)到國(guó)家碩士生培養(yǎng)的要求。作為集成電路工程專業(yè)學(xué)位研究生的培養(yǎng)，其專業(yè)基礎(chǔ)相對(duì)學(xué)術(shù)型研究生存在一定的差距，不進(jìn)行合理的引導(dǎo)就會(huì)使得學(xué)生失去學(xué)習(xí)的興趣。專業(yè)學(xué)位研究生的培養(yǎng)不能以單純拿到畢業(yè)證為目標(biāo)，應(yīng)更加嚴(yán)格管理、嚴(yán)格把關(guān)，保證培養(yǎng)質(zhì)量。通過(guò)近幾年的經(jīng)驗(yàn)積累，以專業(yè)學(xué)位研究生的培養(yǎng)為例，一般按照下列的步驟進(jìn)行：第一學(xué)期，主要以課程學(xué)習(xí)為主，并在課堂學(xué)習(xí)中，定期安排相關(guān)教師對(duì)本實(shí)驗(yàn)室從事的科研項(xiàng)目進(jìn)行學(xué)術(shù)講座，讓學(xué)生了解實(shí)驗(yàn)室開(kāi)展的課題研究方向和從事的科研項(xiàng)目，從總體上進(jìn)行了解和把握，逐漸培養(yǎng)學(xué)生的鉆研興趣。開(kāi)展教師或高年級(jí)學(xué)生關(guān)于研究課題的專題講座和基本軟件使用方法技能培訓(xùn)，使學(xué)生盡快掌握相關(guān)領(lǐng)域的專業(yè)知識(shí)和所需要的基本軟件操作方法，如從事ASIC接口電路的學(xué)生在第一學(xué)期就要求掌握Hspice和Candece等軟件。在學(xué)期末對(duì)學(xué)生進(jìn)行相關(guān)領(lǐng)域知識(shí)進(jìn)行摸底考核，對(duì)優(yōu)秀學(xué)生進(jìn)行獎(jiǎng)勵(lì)，末位學(xué)生進(jìn)行督促教育，使其盡快的減小自身差距。第二學(xué)期，在學(xué)習(xí)專業(yè)課程的同時(shí)，學(xué)生進(jìn)入實(shí)驗(yàn)室參與科研工作，將從事科學(xué)研究的方法和經(jīng)驗(yàn)有針對(duì)的進(jìn)行訓(xùn)練。在進(jìn)入實(shí)驗(yàn)室期間，可以將科研任務(wù)進(jìn)行分解，將非核心技術(shù)部分交給學(xué)生獨(dú)立去完成，讓學(xué)生提前進(jìn)入科研狀態(tài)，完成一些力所能及的科研任務(wù)，堅(jiān)定他們從事科學(xué)研究的信心。定期通過(guò)實(shí)驗(yàn)室的學(xué)術(shù)活動(dòng)檢查學(xué)生課題的完成情況，從總體上把握學(xué)生的研究方向和研究方法。第三學(xué)期，根據(jù)專業(yè)學(xué)位研究生的學(xué)習(xí)情況和所掌握的知識(shí)水平，有針對(duì)性的指導(dǎo)學(xué)生進(jìn)行課題實(shí)踐，讓學(xué)生根據(jù)自己的特長(zhǎng)進(jìn)行課題研究。在學(xué)生進(jìn)入課題研究工作時(shí)，導(dǎo)師指導(dǎo)學(xué)生了解本研究領(lǐng)域國(guó)內(nèi)外技術(shù)發(fā)展的現(xiàn)狀，培養(yǎng)學(xué)生創(chuàng)造性思維能力和獨(dú)立思考、解決問(wèn)題的能力。培養(yǎng)學(xué)生閱讀國(guó)內(nèi)外文獻(xiàn)的能力，使其在科研工作中大膽實(shí)踐，理論聯(lián)系實(shí)際，使學(xué)生在科研工作中有所發(fā)明、有所創(chuàng)造。學(xué)生明確了課題目標(biāo)，知道為什么做、做什么、怎樣做，就能有目標(biāo)有方向地開(kāi)展課題研究工作。第四學(xué)期，主要是督促檢查學(xué)生畢業(yè)論文工作，在其課題研究過(guò)程中應(yīng)當(dāng)定期進(jìn)行檢查，避免學(xué)生課題研究偏離方向，選擇錯(cuò)誤的方法。導(dǎo)師應(yīng)當(dāng)積極鼓勵(lì)學(xué)生在本學(xué)期多發(fā)表學(xué)術(shù)論文。發(fā)表學(xué)術(shù)論文不僅能夠提高學(xué)生的文字表達(dá)能力，還能夠讓學(xué)生勤于思考，提出自己的創(chuàng)新方法，對(duì)學(xué)生后期的畢業(yè)論文撰寫(xiě)打下良好的基礎(chǔ)。因此，踏實(shí)的論文工作是提高個(gè)人學(xué)術(shù)素養(yǎng)和掌握綜合知識(shí)的最佳途徑，為學(xué)生畢業(yè)后從事科研實(shí)踐養(yǎng)成良好的工作作風(fēng)，培養(yǎng)自主從事科研工作的能力。

總之，通過(guò)加強(qiáng)基礎(chǔ)知識(shí)、基本技能訓(xùn)練與能力培養(yǎng)的相融通；實(shí)踐與課程學(xué)習(xí)、業(yè)務(wù)培養(yǎng)與素質(zhì)提高有機(jī)結(jié)合，使集成電路工程專業(yè)學(xué)位研究生養(yǎng)成了較強(qiáng)的自我獲取知識(shí)的能力，自我構(gòu)建知識(shí)的能力及自我創(chuàng)新的能力。已經(jīng)畢業(yè)的專業(yè)學(xué)位研究生就業(yè)形勢(shì)一直是供不應(yīng)求。孔子曰：知之者不如好知者，好知者不如樂(lè)知者。學(xué)生只有好知并樂(lè)知，才能使集成電路工程專業(yè)學(xué)位研究生培養(yǎng)的質(zhì)量不斷穩(wěn)定和不斷提高。

參考文獻(xiàn)：

[1]譚曉昀，劉曉為.信息企業(yè)集成電路工程領(lǐng)域工程碩士培養(yǎng)的探討[J].科教論壇，2009，（2）：7-9.

[2]朱憲榮.改革實(shí)驗(yàn)教學(xué)培養(yǎng)創(chuàng)新人才[J].化工高等教育，2007，（6）.

[3]朱高峰.新世紀(jì)中國(guó)工程教育的改革與發(fā)展[J].高等工程教育研究，2003，（1）：3-9.

篇10

 

1CDIO工程教育理念

 

CDIO工程教育模式，是由美國(guó)麻省理工學(xué)院、瑞典皇家工學(xué)院等四所大學(xué)共同創(chuàng)立的工程教育改革模式。是近年來(lái)國(guó)際工程教育改革的最新成果，CDIO是構(gòu)思(Conceive)、設(shè)計(jì)(Design)、實(shí)施(Implement)、運(yùn)作(Operate)4個(gè)英文單詞的縮寫(xiě)，以產(chǎn)品從研發(fā)到運(yùn)行的生命周期為載體讓學(xué)生以主動(dòng)的、實(shí)踐的、與課程之間有機(jī)聯(lián)系的方式學(xué)習(xí)掌握知識(shí)&-4。迄今已有幾十所世界著名大學(xué)加入了CDIO國(guó)際組織，這些學(xué)校采用CDIO工程教育理念和教學(xué)大綱開(kāi)展教學(xué)實(shí)踐，取得了良好的效果。

 

2存在的問(wèn)題與課程建設(shè)思想

 

微電子技術(shù)研究的中心問(wèn)題是集成電路的設(shè)計(jì)與制造,將數(shù)以億計(jì)的晶體管集成在一個(gè)芯片上。微電子技術(shù)是信息技術(shù)的基礎(chǔ)和支柱，是21世紀(jì)發(fā)展最活躍和技術(shù)增長(zhǎng)最快的高新科技，其產(chǎn)業(yè)已超過(guò)汽車工業(yè)，成為全球第一大產(chǎn)業(yè)。微電子工藝課程主要介紹微電子器件和集成電路制造的工藝流程，平面工藝中各種工藝技術(shù)的基本原理、方法和主要特點(diǎn)。其課程建設(shè)思想是使學(xué)生對(duì)半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體集成電路制造工藝及原理有一個(gè)較為完整和系統(tǒng)的概念，掌握當(dāng)前微電子芯片制作的工藝流程、主要設(shè)備、檢測(cè)方法及其發(fā)展趨勢(shì)^7]。

 

但目前該課程教學(xué)中存在較多問(wèn)題，教學(xué)效果不佳，主要有如下幾點(diǎn)：(1)教材陳舊，沒(méi)有較適合的雙語(yǔ)教材，難以適應(yīng)跨國(guó)際的微電子制造工藝新技術(shù)的快速發(fā)展;(2)教學(xué)內(nèi)容信息量大，在教學(xué)時(shí)間短、內(nèi)容多的情況下，教師難以合理安排教學(xué)進(jìn)度;(3)在課程設(shè)置上重理論輕實(shí)踐，技術(shù)性和實(shí)踐性的內(nèi)容較少，與迅速發(fā)展的工業(yè)實(shí)際脫節(jié);(4)教學(xué)方法單一,理論聯(lián)系實(shí)際不緊密，不利于學(xué)生課堂積極性的提高與創(chuàng)造性的發(fā)揮“5)實(shí)踐教學(xué)環(huán)境較差，由于微電子工藝設(shè)備十分昂貴，有待加強(qiáng)高校精密貴重儀器設(shè)備和優(yōu)質(zhì)實(shí)驗(yàn)教學(xué)資源共享平臺(tái)和運(yùn)行機(jī)制的建設(shè);(6)教評(píng)形式單一，忽略了實(shí)踐教學(xué)與考核，致使大多數(shù)學(xué)生只是死記硬背書(shū)本知識(shí)的學(xué)習(xí)方式來(lái)應(yīng)付考試。

 

3微電子工藝的課程建設(shè)

 

3.1教材選取及教學(xué)內(nèi)容改革

 

本課程教材選用經(jīng)歷了《芯片制造一半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程》、《現(xiàn)代集成電路制造工藝原理》到目前的首選教材：國(guó)外電子與通信教材系列中，美國(guó)MichaelQiurk和JulianSerda著《半導(dǎo)體制造技術(shù)》韓鄭生的中文翻譯本。該書(shū)不僅詳細(xì)介紹芯片制造中的每一關(guān)鍵工藝，而且介紹了支持這些工藝的設(shè)備以及每一道工藝的質(zhì)量檢測(cè)和故障排除;并吸收了當(dāng)今最新技術(shù)資料，如用于亞0.25pm工藝的最新技術(shù):化學(xué)機(jī)械拋光、淺槽隔離以及雙大馬士革等工藝;內(nèi)容豐富、全面、深入淺出、直觀形象、思考習(xí)題量大，并附有大量的結(jié)構(gòu)示意圖、設(shè)備圖和SEM圖片，學(xué)生很容易理解，最主要的相對(duì)前兩本教材,它更加突出實(shí)際工藝，弱化了較抽象的原理。

 

教學(xué)內(nèi)容上采取調(diào)整部分章節(jié)，突出教學(xué)重點(diǎn)，并適當(dāng)增減部分教學(xué)內(nèi)容。本課程的目的是使學(xué)生掌握半導(dǎo)體芯片制造的工藝和基本原理，并具有一定的工藝設(shè)計(jì)和分析能力,課程僅32學(xué)時(shí)，而教材分20章,600頁(yè)，所以教師需要精選課堂授課內(nèi)容。從襯底制備、薄膜淀積、摻雜技術(shù)到圖形加工光刻技術(shù)以及布線與組裝,所涉及的概念比較多，要突出重點(diǎn)：薄膜淀積(氧化、蒸發(fā)、濺射、MOCVD和外延等)，光刻與刻蝕技術(shù)、摻雜技術(shù)，需章節(jié)調(diào)整系統(tǒng)整合;對(duì)非關(guān)鍵工藝的5~8章(介紹半導(dǎo)體制造中的化學(xué)藥品、污染及缺陷等內(nèi)容)只作為學(xué)生課后自學(xué)閱讀。第2章的半導(dǎo)體材料特性已在“固體物理”課程中詳細(xì)介紹，第3章的器件技術(shù)已在‘‘半導(dǎo)體物理“晶體管原理”課程中介紹，第20章裝配與封裝會(huì)在“集成電路封裝與測(cè)試”課程中介紹，故無(wú)需重復(fù)講解。將第9章集成電路制造工藝概況放在后面串通整過(guò)工藝講解，即通過(guò)聯(lián)系單項(xiàng)工藝流程,具體分析講解典型的CMOS芯片制造工藝流程,如由n-MOS和p-MOS兩個(gè)晶體管構(gòu)成的CMOS反相器，這樣能夠加深對(duì)離子注入、化學(xué)氣相淀積、光刻關(guān)鍵技術(shù)、集成電路的隔離技術(shù)以及VLSI的接觸與互連技術(shù)等內(nèi)容的理解。

 

另一方面，指導(dǎo)學(xué)生查閱相關(guān)資料，對(duì)教材內(nèi)容作必要的補(bǔ)充，微電子工藝技術(shù)的發(fā)展迅速，因此需要隨時(shí)跟蹤微電子工藝的發(fā)展動(dòng)態(tài)、技術(shù)前沿以及遇到的挑戰(zhàn)。特征尺寸為45nm的集成電路已批量生產(chǎn)，高K介質(zhì)/金屬柵層疊結(jié)構(gòu)、應(yīng)變硅技術(shù)已采用。而現(xiàn)有的集成電路工藝教材很少能涉及到這些新技術(shù)，為了防止知識(shí)陳舊，應(yīng)多關(guān)注集成電路工藝的最新進(jìn)展，尤其是已經(jīng)投入批量生產(chǎn)的工藝技術(shù)，及時(shí)將目前主流的工藝技術(shù)融入課程教學(xué)中。

 

3.2教學(xué)方法的改革

 

(1)開(kāi)發(fā)多媒體工藝教學(xué)軟件，利用多媒體技術(shù)，將動(dòng)畫(huà)、聲音、圖形、圖像、文字、視頻等進(jìn)行合理的處理，利用大量二維和三維的多媒體圖片、視頻來(lái)展示和講解復(fù)雜的工藝構(gòu)造過(guò)程。開(kāi)發(fā)圖文聲像并茂的微電子工藝多媒體計(jì)算機(jī)輔助教學(xué)軟件，給學(xué)生以直觀、清楚的認(rèn)識(shí)，有助于提高教學(xué)質(zhì)量。

 

(2)微電子工藝綜合共享實(shí)驗(yàn)平臺(tái)建設(shè)，集成電路的制造設(shè)備價(jià)格昂貴，環(huán)境條件要求苛刻，運(yùn)轉(zhuǎn)與維護(hù)費(fèi)用很大，國(guó)內(nèi)僅部分高校擁有集成電路工藝試驗(yàn)線或部分實(shí)驗(yàn)分析設(shè)備。按照有償服務(wù)或互惠互利原則共享設(shè)備儀器資源，創(chuàng)建各院校之間和與企業(yè)之間的“微電子工藝綜合共享實(shí)驗(yàn)平臺(tái)”可極大的提高集成電路工藝及其實(shí)驗(yàn)課程教學(xué)效果，即解決了一些院校資金短缺問(wèn)題，同時(shí)也部分補(bǔ)償了大型設(shè)備的日常使用和維護(hù)費(fèi)用問(wèn)題。其綜合共享實(shí)驗(yàn)平臺(tái)包括金屬有機(jī)化合物MOCVD沉積技術(shù)、分子束外延、RF射頻磁控濺射、XPS、XRD及AFM分析測(cè)試、光刻、離子注入等涉及投資巨大的儀器設(shè)備實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目。

 

(3)拓展實(shí)踐能力的校企合作，讓學(xué)生帶著理論知識(shí)走進(jìn)企業(yè)的真實(shí)工程環(huán)境，探索利用企業(yè)先進(jìn)的工藝線資源進(jìn)行工藝實(shí)驗(yàn)教學(xué)與參觀實(shí)習(xí)6-9]。參觀實(shí)習(xí)能夠使學(xué)生對(duì)集成電路的生產(chǎn)場(chǎng)地,超凈環(huán)境要求具有深刻的感性認(rèn)識(shí)，對(duì)單晶硅制造流程、芯片制造工藝過(guò)程以及芯片的測(cè)試和封裝的了解也更加系統(tǒng)和全面。同時(shí)利用假期安排學(xué)生去企業(yè)實(shí)習(xí)，讓學(xué)生參與企業(yè)的部分生產(chǎn)環(huán)節(jié)，親身感受實(shí)際工藝生產(chǎn)過(guò)程，增加學(xué)生對(duì)企業(yè)的了解，也利于企業(yè)選拔優(yōu)秀學(xué)生。

 

(4)工藝視頻與工藝實(shí)驗(yàn)輔助教學(xué)，由于微電子工藝內(nèi)容與生產(chǎn)密切結(jié)合，不能單靠抽象的書(shū)本知識(shí)教學(xué)，對(duì)于學(xué)生無(wú)法了解到的一些工藝實(shí)驗(yàn)與設(shè)備，可通過(guò)錄像教學(xué)來(lái)補(bǔ)充。本學(xué)院購(gòu)置了清華大學(xué)微電子所的集成電路工藝設(shè)備錄像與多媒體教學(xué)系統(tǒng)，結(jié)合國(guó)外英文原版的工藝流程視頻,通過(guò)工藝視頻把實(shí)際工藝流程、設(shè)備和設(shè)備操作等形象地展示在課堂。多媒體教學(xué)系統(tǒng)提供了氧化、擴(kuò)散和離子注入三項(xiàng)工藝設(shè)備操作模擬，可使學(xué)生身臨其境地對(duì)所學(xué)的基本工藝進(jìn)行簡(jiǎn)單的模擬。同時(shí)結(jié)合課堂教學(xué)開(kāi)設(shè)半導(dǎo)體平面工藝實(shí)驗(yàn)，主要包括以：氧化、光刻、擴(kuò)散、蒸鋁、反刻、劃片、裝架、燒結(jié)、封裝。實(shí)驗(yàn)以教師講解與學(xué)生動(dòng)手相結(jié)合，既培養(yǎng)了學(xué)生的實(shí)際動(dòng)手能力，又使學(xué)生掌握了科學(xué)分析問(wèn)題的方法，激發(fā)了學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣,加深學(xué)生對(duì)課堂理論知識(shí)的理解。

 

3.3多元化的考核評(píng)價(jià)體系

 

對(duì)學(xué)生的考核是對(duì)其具體學(xué)習(xí)成果的度量，也是檢驗(yàn)教學(xué)改革成效的重要手段，為了更科學(xué)合理的考核學(xué)生，我們建立了多元化的更加注重過(guò)程參與的考試評(píng)價(jià)體系，降低了期末考試在總成績(jī)中所占比例，最大限度避免學(xué)生靠死記硬背來(lái)應(yīng)付考試和學(xué)生創(chuàng)新思維被抑制、高分低能現(xiàn)象產(chǎn)生。這種多元化、過(guò)程性的成績(jī)?cè)u(píng)定方法，強(qiáng)調(diào)知識(shí)的積累與構(gòu)建過(guò)程，消除了學(xué)生重理論輕實(shí)踐,考前死記硬背應(yīng)付考試的弊病。總評(píng)成績(jī)由平時(shí)成績(jī)和期末考試成績(jī)兩部分構(gòu)成。但加大平時(shí)成績(jī)的權(quán)重,平時(shí)成績(jī)即包括了作業(yè)與考勤，還包括綜合性實(shí)驗(yàn)成績(jī)、設(shè)計(jì)仿真、國(guó)外工藝視頻翻譯、專題小論文和專題PPT論壇團(tuán)隊(duì)成績(jī)等。同時(shí)在期末考題中增加openanswerquestion型、工藝過(guò)程設(shè)計(jì)型題目110-11。

 

4結(jié)語(yǔ)